Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.

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Resultados: 59

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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4,415En existencias

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PJQ4435EP-AU_R2_002A1

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Cinta cortada

S/5.45

S/3.34

S/2.20

S/1.73

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4546P-AU_R2_002A1
Panjit
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3,228En existencias

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PJQ4546P-AU_R2_002A1

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Panjit

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3,228En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/2.60

S/2.30

S/1.78

Envase tipo carrete

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4439EP-AU_R2_002A1
Panjit
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Cinta cortada

S/3.08

S/1.90

S/1.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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AEC-Q101

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Panjit
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S/7.40

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S/3.15

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PJQ4546VP-AU_R2_002A1
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S/4.24

S/2.64

S/1.72

S/1.33

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S/5.33

S/2.49

S/2.21

S/1.72

Envase tipo carrete

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N.º de artículo de Mouser
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S/3.53

S/2.34

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Envase tipo carrete

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PJQ5542V-AU_R2_002A1

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S/6.85

S/4.36

S/2.90

S/2.80

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S/2.68

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

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PJQ5546V-AU_R2_002A1

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S/4.75

S/2.97

S/1.95

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.51

S/1.41

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5548V-AU_R2_002A1
Panjit
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N.º de artículo del Fabricante
PJQ5548V-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5548VAUR202A1

NRND

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Cinta cortada

S/6.23

S/3.85

S/2.53

S/1.99

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S/1.19

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MouseReel Disponible

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40 V

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Enhancement

AEC-Q101

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PJQ4548VP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.45
4,971En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4548VP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4548VPAUR22A1

NRND

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S/5.45

S/3.34

S/2.20

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.00

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-3333-8

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1 Channel

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40 A

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5544V-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/6.15
2,800En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5544V-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5544VAUR202A1

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Cinta cortada

S/6.15

S/3.88

S/2.58

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

DFN-5060-8

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1 Channel

40 V

120 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N04V-AU_L2_002A1
Panjit
1: S/3.78
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N04V-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N04VAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2,990En existencias

Cinta cortada

S/3.78

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.82

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

42 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

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+ 175 C

36 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD30N04S-AU_L2_002A1
Panjit
1: S/3.50
2,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD30N04S-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD30N04SAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2,880En existencias

Cinta cortada

S/3.50

S/2.54

Envase tipo carrete

S/2.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

43 A

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- 20 V, 20 V

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13 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N04V-AU_L2_002A1
Panjit
1: S/4.67
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N04V-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N04VAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/3.10

Envase tipo carrete

S/3.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD60N04S-AU_L2_002A1
Panjit
1: S/6.42
2,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD60N04S-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD60N04SAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2,984En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/4.32

Envase tipo carrete

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

140 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD60P04E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/5.02
2,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD60P04E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD60P04EAUL26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2,881En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.50

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

61 A

17.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

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- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD75P04E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/5.61
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PJD75P04E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2,927En existencias

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S/5.61

S/3.54

S/3.50

Envase tipo carrete

S/3.50

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

67 A

14.3 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/11.44
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N.º de artículo del Fabricante
PJD45P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD45P03EAUL26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Cinta cortada

S/11.44

S/5.68

S/5.10

S/4.13

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

42 A

15 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD55N04S-AU_L2_002A1
Panjit
1: S/4.67
5,817En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD55N04S-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD55N04SAUL22A1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Cinta cortada

S/4.67

S/2.92

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD55P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/11.76
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD55P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD55P03EAUL26A1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Cinta cortada

S/11.76

S/5.84

S/5.25

S/4.24

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

48 A

12.1 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD90P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/5.64
2,927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD90P03E-AU_L2_006A1

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241-PJD90P03EAUL26A1

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Cinta cortada

S/5.64

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

88 A

6.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4431EP-AU_R2_002A1
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1: S/5.14
3,965En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4431EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4431EP-AUR22A

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Cinta cortada

S/5.14

S/2.41

S/2.13

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

78 A

7 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

40V Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.2 A
3.1 A
4.3 A
9 A
16 A
21 A
35 A
37 A
40 A
41 A
42 A
43 A
45 A
48 A
50 A
55 A
60 A
61 A
64 A
67 A

1.88 mOhms
2.1 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
3.6 mOhms
5 mOhms
5.3 mOhms
5.6 mOhms
5.9 mOhms
6 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
8.8 mOhms
9.1 mOhms
9.4 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms

4.4 nC
4.8 nC
6 nC
7.3 nC
8.3 nC
9.5 nC
10 nC
13 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
32 nC
34 nC
41 nC
43 nC
50 nC
54 nC
56 nC
59 nC

1.25 W
2 W
2.5 W
3 W
3.3 W
22 W
25 W
30 W
32 W
36 W
41 W
42 W
43 W
43.2 W
54 W
63 W
64.9 W
65 W
68 W
71 W