Módulos de puente completo MOSFET SiC de 1,200 V GCMX

Los módulos de puente completo MOSFET SiC de 1200 V GCMX de SemiQ ofrecen bajo nivel de pérdidas de conmutación, baja resistencia térmica de unión a carcasa y montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador térmico (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas se han probado rigurosamente para resistir voltajes superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es el sólido voltaje de fuente de drenado de 1200 V. Los módulos de puente completo GCMX funcionan a una temperatura de unión de 175°C y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de batería, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores CC a CC de alto voltaje.

Resultados: 9
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
Hoja de datos
35En existencias
Cinta cortada
S/176.25
S/150.37
Envase tipo carrete
S/150.37
S/125.77
Min.: 1
Mult.: 1
: 40
SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 27 A 77 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 119 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Hoja de datos
31En existencias
Cinta cortada
S/282.71
S/245.62
Envase tipo carrete
S/245.62
S/205.49
Min.: 1
Mult.: 1
: 40
SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 53 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 208 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Hoja de datos
No en existencias
S/689.40
S/528.91
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit B3 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 201 A 8.9 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 600 W GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
S/294.00
Min.: 40
Mult.: 40
: 40
SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 18 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 333 W GCMX Reel
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Hoja de datos
No en existencias
S/304.90
Min.: 40
Mult.: 40
SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 333 W GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
S/340.79
S/320.70
Min.: 40
Mult.: 40
: 40
SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 93 A 18.1 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 300 W GCMX Reel
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Hoja de datos
No en existencias
Cinta cortada
S/238.49
S/184.23
Envase tipo carrete
S/184.23
S/173.33
Min.: 1
Mult.: 1
: 40
SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 56 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 217 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Hoja de datos
No en existencias
S/189.68
Min.: 40
Mult.: 40
SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Hoja de datos
No en existencias
S/170.61
S/125.77
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 100 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 119 W GCMX Bulk