MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMW120R045M1XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/84.93
736 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-AIMW120R045M1XKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
736 En existencias
1
S/84.93
10
S/63.21
100
S/62.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
52 A
59 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.7 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
228 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.79
6,783 En existencias
4,000 Se espera el 7/01/2027
N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
6,783 En existencias
4,000 Se espera el 7/01/2027
1
S/20.79
10
S/13.82
100
S/9.85
500
S/8.72
1,000
S/8.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
5.2 A
1 Ohms
- 10 V, + 20 V
4.5 V
5 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/28.65
285 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R140M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
285 En existencias
1
S/28.65
10
S/18.18
100
S/15.26
480
S/14.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
19 A
182 mOhms
- 7 V, + 23 V
3.5 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/58.85
1,221 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
1,221 En existencias
1
S/58.85
10
S/37.02
100
S/33.36
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47 A
34 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/42.82
42 En existencias
240 Se espera el 24/08/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
42 En existencias
240 Se espera el 24/08/2026
1
S/42.82
10
S/26.94
100
S/23.94
480
S/21.84
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/62.59
2,160 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R030M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
2,160 En pedido
Ver fechas
En pedido:
720 Se espera el 17/09/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/62.59
10
S/40.60
100
S/37.21
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
56 A
40 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/35.38
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
1
S/35.38
10
S/20.67
100
S/17.44
480
S/16.54
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
28 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
CoolSiC
Perú