R8009KNXC7G

ROHM Semiconductor
755-R8009KNXC7G
R8009KNXC7G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 9A N-CH MOSFET

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FM-3
N-Channel
1 Channel
800 V
9 A
600 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
59 W
Enhancement
Bulk
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 30 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 40 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 30 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 18 ns
Alias de las piezas n.º: R8009KNX
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

R8009KNX N-Channel 800V 9A Power MOSFET

ROHM Semiconductor R8009KNX N-Channel 800V 9A Power MOSFET is a low on-resistance device with fast switching. The R8009KNX features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs have parallel use that is easy to use.

En existencias: 1,367

Existencias:
1,367 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/21.18 S/21.18
S/11.02 S/110.20
S/10.04 S/1,004.00
S/8.95 S/4,475.00
S/8.41 S/8,410.00

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