Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive N-Channel MOSFETs

onsemi Automotive N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified power MOSFETs that are optimized for use in automotive applications. They feature UIS capability and are ROHS compliant. Typical applications for onsemi Automotive N-Channel MOSFETs include automotive engine control, PowerTrain management, solenoid, motor drive, and a primary switch for 12V systems.

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Resultados: 14

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

FDN5632N-F085
onsemi
1: S/4.32
122,276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDN5632N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDN5632N-F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

Hoja de datos

122,276En existencias

Cinta cortada

S/4.32

S/2.00

S/1.62

S/1.30

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.969

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SSOT-3

N-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

98 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86363-F085
onsemi
1: S/23.24
3,963En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86363-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86363_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

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Hoja de datos

3,963En existencias

Cinta cortada

S/23.24

S/12.22

S/11.13

S/10.12

Envase tipo carrete

S/8.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

FDBL86563-F085
onsemi
1: S/26.16
3,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86563-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86563_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

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Hoja de datos

3,440En existencias

Cinta cortada

S/26.16

S/13.90

S/12.69

S/11.83

S/11.17

Envase tipo carrete

S/11.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

240 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86561-F085
onsemi
1: S/26.78
3,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86561-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86561F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL<BR> N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

3,890En existencias

Cinta cortada

S/26.78

S/14.48

S/13.27

S/12.46

Envase tipo carrete

S/10.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86361-F085
onsemi
1: S/28.96
8,257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86361-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86361F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL<BR>N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

8,257En existencias

Cinta cortada

S/28.96

S/15.53

S/14.25

Envase tipo carrete

S/14.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK
N-Channel PowerTrench

FDB86563-F085
onsemi
1: S/21.91
5,684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDB86563-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDB86563_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK<BR> N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

5,684En existencias

Cinta cortada

S/21.91

S/11.44

S/10.43

S/8.84

Envase tipo carrete

S/8.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800

: 800

SMD/SMT

D2PAK-2

N-Channel

1 Channel

60 V

110 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

FDBL86210-F085
onsemi
1: S/28.92
643En existencias
2,000Se espera el 12/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86210-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86210_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

Hoja de datos

643En existencias

2,000Se espera el 12/01/2027

Cinta cortada

S/28.92

S/15.53

S/14.21

Envase tipo carrete

S/14.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

169 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86366-F085
onsemi
1: S/18.76
1,544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86366-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86366_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

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1,544En existencias

Cinta cortada

S/18.76

S/11.17

S/8.99

S/7.63

S/7.32

Envase tipo carrete

S/6.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

220 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

FDD13AN06A0-F085
onsemi
1: S/9.34
10,672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD13AN06A0-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD13AN06A0-F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

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Hoja de datos

10,672En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/4.55

S/4.09

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

FDD86367-F085
onsemi
1: S/12.57
3,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86367-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86367_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

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Hoja de datos

3,156En existencias

Cinta cortada

S/12.57

S/6.27

S/5.64

S/4.59

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

FDD86369-F085
onsemi
1: S/9.65
3,697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86369-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86369_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

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Hoja de datos

3,697En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/4.71

S/4.24

S/3.37

Envase tipo carrete

S/3.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 690

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

FDD9409-F085
onsemi
1: S/9.93
1,129En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDD9409-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD9409_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

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Hoja de datos

1,129En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/6.42

S/4.40

S/3.67

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

FDC5661N-F085
onsemi
1: S/4.87
22En existencias
48,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
FDC5661N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDC5661N-F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

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Hoja de datos

22En existencias

48,000En pedido

Cinta cortada

S/4.87

S/3.47

S/2.16

S/1.49

S/1.25

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SSOT-6

N-Channel

1 Channel

60 V

4.3 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench

FDD86567-F085
onsemi
1: S/14.36
261En existencias
2,500Se espera el 6/10/2027

N.º de artículo del Fabricante
FDD86567-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86567_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK<BR>N-Channel PowerTrench

Obtenga más información

Hoja de datos

261En existencias

2,500Se espera el 6/10/2027

Cinta cortada

S/14.36

S/8.95

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

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