Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 16

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A XPJ1R004PB,LXHQ Toshiba 1: S/ 13.23 2,404En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPJ1R004PB,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPJ1R004PBLXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A Obtenga más información sobre Toshiba l togl s togl aec 40v80v100v n ch mosfets	Hoja de datos	2,404En existencias	Cinta cortada S/ 13.23 S/ 6.62 S/ 5.64 S/ 4.87 S/ 4.44 Envase tipo carrete S/ 4.44	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si																Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba 1: S/ 11.17 25,771En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK1R4S04PB,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4S04PB,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	25,771En existencias	Cinta cortada S/ 11.17 S/ 5.53 S/ 4.98 S/ 4.01 S/ 3.86 Envase tipo carrete S/ 3.55	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.35 mOhms	20 V	3 V	103 nC		+ 175 C	180 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba 1: S/ 14.29 1,831En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK1R4F04PB,LXGQ N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4F04PB,LXGQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	1,831En existencias	Cinta cortada S/ 14.29 S/ 7.20 S/ 6.50 S/ 5.29 Envase tipo carrete S/ 4.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-220SM-3	N-Channel	1 Channel	40 V	160 A	1.35 mOhms	20 V	3 V	103 nC		+ 175 C	205 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba 1: S/ 10.20 16,682En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPW1R104PB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-TPW1R104PB,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	16,682En existencias	Cinta cortada S/ 10.20 S/ 5.02 S/ 4.52 S/ 3.60 Ver Envase tipo carrete S/ 3.13 S/ 3.45 S/ 3.31 S/ 3.13	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	DSOP-Advance-8	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.14 mOhms	20 V	3 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK1R5R04PB,LXGQ Toshiba 1: S/ 14.17 7,786En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK1R5R04PB,LXGQ N.º de artículo de Mouser 757-TK1R5R04PB,LXGQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	7,786En existencias	Cinta cortada S/ 14.17 S/ 7.12 S/ 6.46 S/ 5.25 Envase tipo carrete S/ 4.90	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	160 A	1.5 mOhms	20 V	3 V	103 nC		+ 175 C	205 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TPWR7904PB,L1XHQ Toshiba 1: S/ 12.26 2,941En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPWR7904PB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-TPWR7904PB,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	2,941En existencias	Cinta cortada S/ 12.26 S/ 6.11 S/ 5.53 S/ 4.44 Ver Envase tipo carrete S/ 4.01 S/ 4.28 S/ 4.09 S/ 4.01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	DSOP-Advance-8	N-Channel	1 Channel	40 V	150 A	790 uOhms	20 V	3 V	85 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 TKR74F04PB,LXGQ Toshiba 1: S/ 22.54 747En existencias	N.º de artículo del Fabricante TKR74F04PB,LXGQ N.º de artículo de Mouser 757-TKR74F04PBLXGQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	747En existencias	Cinta cortada S/ 22.54 S/ 11.83 S/ 10.78 S/ 9.73 Envase tipo carrete S/ 9.19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-220SM-3	N-Channel	1 Channel	40 V	250 A	740 uOhms	20 V	3 V	227 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.74mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(EWF) XPMR7404PB,LXHQ Toshiba 1: S/ 12.53 3,234En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XPMR7404PB,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPMR7404PBLXHQ Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.74mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(EWF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	3,234En existencias	Cinta cortada S/ 12.53 S/ 6.31 S/ 5.57 S/ 4.52 Ver Envase tipo carrete S/ 3.41 S/ 4.36 S/ 4.28 S/ 3.41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	40 V	410 A	0.74 mOhms	20 V	3 V	107 nC		+ 175 C	254 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.54mOhm N-ch MOSFET AEC-Q S-TOGL XPJ1R504PB,LXHQ Toshiba 1: S/ 11.09 1,050En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XPJ1R504PB,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPJ1R504PBLXHQ Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.54mOhm N-ch MOSFET AEC-Q S-TOGL Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	1,050En existencias	Cinta cortada S/ 11.09 S/ 7.12 S/ 4.90 S/ 3.97 Envase tipo carrete S/ 3.58 Ver S/ 3.71 S/ 3.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	S-TOGL-6	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.54 mOhms	20 V	3 V	61 nC		+ 175 C	197 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ TPH1R204PL1,LQ Toshiba 1: S/ 9.81 4,170En existencias 35,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante TPH1R204PL1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TPH1R204PL1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	4,170En existencias 35,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: TPH1R204PL1,LQ Existencias: 4,170 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10,000 Se espera el 2/11/2026 25,000 Se espera el 4/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 24 Semanas	Cinta cortada S/ 9.81 S/ 4.83 S/ 4.32 S/ 3.69 S/ 3.51 Envase tipo carrete S/ 2.97 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	40 V	270 A	1 mOhms	20 V	2.4 V	74 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ TPHR9203PL1,LQ Toshiba 1: S/ 10.08 15,034En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPHR9203PL1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TPHR9203PL1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	15,034En existencias	Cinta cortada S/ 10.08 S/ 6.50 S/ 4.44 S/ 3.54 Ver Envase tipo carrete S/ 2.76 S/ 3.25 S/ 3.20 S/ 2.76 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	30 V	320 A	610 uOhms	20 V	2.1 V	81 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ TPH1R306PL1,LQ Toshiba 1: S/ 14.48 18,060Se espera el 6/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TPH1R306PL1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TPH1R306PL1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	18,060Se espera el 6/11/2026	Cinta cortada S/ 14.48 S/ 9.42 S/ 6.62 S/ 5.53 S/ 5.22 Envase tipo carrete S/ 4.83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	60 V	280 A	1 mOhms	20 V	2.5 V	91 nC		+ 175 C	210 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba 1: S/ 11.95 10,000Se espera el 19/04/2027	N.º de artículo del Fabricante TPH1R104PB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-TPH1R104PB,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	10,000Se espera el 19/04/2027	Cinta cortada S/ 11.95 S/ 6.93 S/ 5.29 S/ 4.32 S/ 4.24 Envase tipo carrete S/ 3.76	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.14 mOhms	20 V	3 V	55 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TPHR7904PB,L1XHQ Toshiba 1: S/ 14.64 9,681Se espera el 6/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TPHR7904PB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-TPHR7904PB,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	9,681Se espera el 6/11/2026	Cinta cortada S/ 14.64 S/ 7.40 S/ 6.70 S/ 5.45 S/ 5.25 Envase tipo carrete S/ 5.10	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	N-Channel	1 Channel	40 V	150 A	790 uOhms	20 V	3 V	85 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.59mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(EWF) XPMR5904PB,LXHQ Toshiba 1: S/ 13.78 5,000Se espera el 11/12/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XPMR5904PB,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPMR5904PBLXHQ Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.59mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(EWF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	5,000Se espera el 11/12/2026	Cinta cortada S/ 13.78 S/ 6.93 S/ 6.27 S/ 5.10 Ver Envase tipo carrete S/ 4.05 S/ 5.06 S/ 4.87 S/ 4.05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	40 V	478 A	0.59 mOhms	20 V	3 V	61 nC		+ 175 C	272 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=210W F=1MHZ TPHR6503PL1,LQ Toshiba 1: S/ 13.08 Plazo de entrega 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TPHR6503PL1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TPHR6503PL1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=210W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	Plazo de entrega 24 Semanas	Cinta cortada S/ 13.08 S/ 6.54 S/ 5.92 S/ 4.79 Ver Envase tipo carrete S/ 4.36 S/ 4.67 S/ 4.40 S/ 4.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	30 V	420 A	410 uOhms	20 V	2.1 V	110 nC		+ 175 C	210 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel

Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte