CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V Silicon Carbide (SiC) G2 MOSFETs are offered in a TO-247PLUS-4 reflow package. These Infineon MOSFETs are ideal for high-output power applications such as Electric Vehicle (EV) charging, Battery Energy Storage Systems (BESS), Commercial / Construction / Agricultural Vehicles (CAV), and more. The CoolSiC™ MOSFET G2 1400V technology is a cutting-edge technology offering improved thermal performance, increased power density, and enhanced reliability. The package features reflow capability (3x reflow soldering possible), enabling lower thermal resistance.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Hoja de datos
565En existencias
S/157.33
S/113.70
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
190En existencias
S/227.32
S/193.89
S/159.94
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
224En existencias
S/132.85
S/106.34
S/91.98
S/87.08
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
230En existencias
S/74.23
S/56.56
S/47.10
S/42.00
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
174En existencias
240Se espera el 2/11/2026
S/58.39
S/32.85
S/32.23
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Hoja de datos
240En existencias
Cinta cortada
S/121.17
S/97.00
S/83.88
Envase tipo carrete
S/83.88
S/79.41
Min.: 1
Mult.: 1
: 240
Through Hole PG-TO247-4 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
134En existencias
S/69.83
S/40.05
S/37.41
S/35.07
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
342En existencias
S/59.13
S/45.04
S/37.52
S/33.40
S/31.22
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Hoja de datos
77En existencias
S/82.83
S/61.85
S/53.48
S/50.64
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
126En existencias
240Se espera el 5/11/2026
S/67.73
S/51.61
S/43.01
S/38.30
S/35.77
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
240Se espera el 2/09/2027
S/48.19
S/26.59
S/25.11
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC