DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs are silicon carbide MOSFETs designed to minimize the on-state resistance and maintain excellent switching performance. These MOSFETs feature low input capacitance, up to 100μA zero gate voltage drain current, up to ±250nA gate-source leakage, and a high BVDSS rating for power applications. The DMWSH120Hx MOSFETs operate within the -55°C to 175°C temperature range and comply with the UL 94V-0 flammability classification rating. These power MOSFETs are ideal for EV high-power DC-DC converters, EV charging systems, solar inverters, AC-DC traction inverters, and automotive motor drivers.

Resultados: 10
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Hoja de datos
20En existencias
S/125.96
S/84.86
S/77.54
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Hoja de datos
17En existencias
S/125.96
S/84.86
S/78.63
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Hoja de datos
20En existencias
S/148.89
S/102.68
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Hoja de datos
31En existencias
S/75.09
S/45.19
S/42.43
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole To-247-3 1 Channel 1.2 kV 72.7 A 43 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Hoja de datos
78En existencias
S/48.81
S/27.68
S/25.61
S/24.87
S/23.86
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 170 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Hoja de datos
60En existencias
S/60.22
S/34.68
S/32.23
S/32.04
S/31.14
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Hoja de datos
87En existencias
S/48.81
S/27.68
S/27.64
S/24.87
S/22.30
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Hoja de datos
60En existencias
S/60.22
S/34.68
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Hoja de datos
120Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
S/150.41
S/98.40
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
Hoja de datos
100Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
S/40.05
S/26.31
S/22.23
S/21.18
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement