Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
STB20NM50T4
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1:
S/25.61
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N.º de artículo de Mouser 511-STB20NM50
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STB45N50DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
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Circuitos de supervisión Protection Device Thermal Shutdown
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STBP120AVDK6F
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N.º de artículo de Mouser 511-STBP120AVDK6F
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Circuitos de supervisión Protection Device Thermal Shutdown
8,462 En existencias
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S/3.85
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Administración de baterías Battery Monitor IC 32-Ram 12/14 ADC 8B
STC3100IST
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N.º de artículo de Mouser 511-STC3100IST
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Administración de baterías Battery Monitor IC 32-Ram 12/14 ADC 8B
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S/7.12
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
STD12N60DM6
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2,358 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD12N60DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
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S/11.48
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S/3.84
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S/3.58
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Low voltage fast-switching NPN power transistor
STD1802T4
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S/4.67
23,551 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD1802T4
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Low voltage fast-switching NPN power transistor
23,551 En existencias
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S/4.67
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S/1.69
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S/1.40
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S/1.18
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S/0.934
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
STD1NK60-1
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S/6.81
3,797 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD1NK60-1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
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S/6.81
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S/3.02
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S/2.71
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S/2.26
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S/2.05
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S/1.80
9,000
S/1.73
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
STD2LN60K3
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S/5.80
8,736 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD2LN60K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
8,736 En existencias
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S/5.80
10
S/2.73
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S/2.43
500
S/2.05
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S/1.46
5,000
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S/1.89
5,000
S/1.42
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
STD2N62K3
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S/8.68
2,749 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD2N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
2,749 En existencias
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S/8.68
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S/4.20
100
S/3.76
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S/2.99
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S/2.60
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S/2.78
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S/2.46
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
STD47N10F7AG
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18,077 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD47N10F7AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
18,077 En existencias
1
S/10.12
10
S/4.94
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S/4.48
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S/3.56
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S/3.22
5,000
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S/3.40
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S/3.05
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Reguladores y monitores de potencia y corriente Electronic fuse for 5V line
STEF05SGR
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S/4.48
2,911 En existencias
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Reguladores y monitores de potencia y corriente Electronic fuse for 5V line
2,911 En existencias
1
S/4.48
10
S/3.20
25
S/2.89
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S/2.55
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S/1.95
6,000
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S/2.39
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S/2.29
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S/2.23
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S/1.81
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Tableros y Juegos de Desarrollo - Inalámbrico Multiconnectivity asset tracking reference design based on STM32WB5MMG and STM32
STEVAL-ASTRA1B
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S/575.74
10 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STEVAL-ASTRA1B
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Tableros y Juegos de Desarrollo - Inalámbrico Multiconnectivity asset tracking reference design based on STM32WB5MMG and STM32
10 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
STF13N95K3
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S/31.45
956 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF13N95K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
956 En existencias
1
S/31.45
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S/17.01
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S/15.61
500
S/14.13
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S/13.39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
STF13NM60N
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1:
S/22.19
640 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF13NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
640 En existencias
1
S/22.19
10
S/11.02
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S/9.26
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S/8.84
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
STF21N65M5
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1:
S/22.62
899 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF21N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
899 En existencias
1
S/22.62
10
S/12.26
100
S/10.94
500
S/9.73
1,000
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S/8.91
2,000
S/8.76
5,000
S/8.56
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF7N105K5
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1:
S/15.80
1,439 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF7N105K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1,439 En existencias
1
S/15.80
10
S/8.02
100
S/7.28
500
S/5.96
1,000
S/5.61
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
STF8NK100Z
STMicroelectronics
1:
S/23.71
1,446 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF8NK100Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
1,446 En existencias
1
S/23.71
10
S/12.49
100
S/11.41
500
S/9.69
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
STFU13N80K5
STMicroelectronics
1:
S/18.65
1,691 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFU13N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
1,691 En existencias
1
S/18.65
10
S/9.89
100
S/8.99
500
S/7.40
1,000
Ver
1,000
S/7.24
2,000
S/6.58
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Detalles
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver
STGAP2HSMTR
STMicroelectronics
1:
S/22.19
1,319 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGAP2HSMTR
STMicroelectronics
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver
1,319 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/22.19
10
S/17.52
25
S/15.96
100
S/14.64
1,000
S/12.49
2,000
Ver
250
S/13.94
500
S/13.47
2,000
S/12.26
5,000
Presupuesto
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Carrete :1,000
Detalles
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
+4 imágenes
STGD4M65DF2
STMicroelectronics
1:
S/6.15
5,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD4M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
5,000 En existencias
1
S/6.15
10
S/3.88
100
S/2.58
500
S/2.02
2,500
S/1.63
5,000
Ver
1,000
S/1.85
5,000
S/1.55
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
IGBTs PowerMESH" IGBT
STGW30NC60WD
STMicroelectronics
1:
S/22.97
938 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW30NC60WD
STMicroelectronics
IGBTs PowerMESH" IGBT
938 En existencias
1
S/22.97
10
S/12.96
100
S/10.74
600
S/9.38
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
STH10N80K5-2AG
STMicroelectronics
1:
S/19.58
1,244 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH10N80K5-2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
1,244 En existencias
1
S/19.58
10
S/10.12
100
S/9.23
500
S/8.06
1,000
S/7.08
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Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
1:
S/28.80
753 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
753 En existencias
1
S/28.80
10
S/15.45
100
S/14.13
500
S/13.47
1,000
S/12.53
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Carrete :1,000
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición SLLIMM nano IPM, 3-phase inverter, 2 A, 1.7 Ohm max., 500 V, MOSFET
STIPNS2M50T-H
STMicroelectronics
1:
S/33.01
1,540 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STIPNS2M50T-H
STMicroelectronics
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición SLLIMM nano IPM, 3-phase inverter, 2 A, 1.7 Ohm max., 500 V, MOSFET
1,540 En existencias
1
S/33.01
10
S/25.57
25
S/23.74
100
S/21.18
400
S/18.68
800
Ver
250
S/19.11
800
S/18.29
2,400
S/17.28
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :400
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
STL30N10F7
STMicroelectronics
1:
S/6.46
5,144 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL30N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
5,144 En existencias
1
S/6.46
10
S/3.07
100
S/2.73
500
S/2.15
3,000
S/1.57
6,000
Ver
1,000
S/1.94
6,000
S/1.56
9,000
S/1.50
24,000
S/1.46
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Perú