Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in
STB43N65M5
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N.º de artículo de Mouser 511-STB43N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package
STB45N30M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package
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Conversores CA/DC Offline PWM controller for low standby adapters
STCH03
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STCH03
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Conversores CA/DC Offline PWM controller for low standby adapters
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60V 0.060 Ohm 16A
STD16NF06T4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60V 0.060 Ohm 16A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
STD3N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
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S/1.68
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ., -50 A STripFET F6 Power MOSFET i
STD45P4LLF6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ., -50 A STripFET F6 Power MOSFET i
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
STD5NK40ZT4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
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S/8.87
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S/2.55
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
STD7LN80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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S/11.21
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S/3.76
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S/3.51
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
STD7N52K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
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S/8.84
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
STD95N4F3
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2,881 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
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S/3.27
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S/3.08
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S/2.73
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Herramientas de desarrollo del sensor de aceleración iNEMO inertial module kit based on ISM330DHCX
STEVAL-MKI210V2K
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1:
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152 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STEVAL-MKI210V2K
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Herramientas de desarrollo del sensor de aceleración iNEMO inertial module kit based on ISM330DHCX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF12N120K5
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1:
S/48.50
871 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF12N120K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
871 En existencias
1
S/48.50
10
S/29.04
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S/25.03
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
STF20N95K5
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S/26.94
2,621 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF20N95K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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S/11.68
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Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
STF21N90K5
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1:
S/32.35
1,723 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF21N90K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
1,723 En existencias
1
S/32.35
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S/17.52
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S/16.08
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S/14.64
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
STF25N80K5
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1:
S/26.39
879 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF25N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
879 En existencias
1
S/26.39
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S/14.01
100
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S/11.72
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S/11.17
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
STF26NM60N
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1:
S/32.62
1,773 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF26NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
1,773 En existencias
1
S/32.62
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S/18.68
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S/17.17
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S/15.80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
STF3NK100Z
STMicroelectronics
1:
S/20.12
1,781 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF3NK100Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
1,781 En existencias
1
S/20.12
10
S/10.43
100
S/9.50
500
S/7.75
2,000
S/7.36
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IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
1:
S/5.76
7,090 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD3NB60SD
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IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
7,090 En existencias
1
S/5.76
10
S/3.64
100
S/2.42
500
S/1.89
2,500
S/1.53
10,000
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1,000
S/1.72
10,000
S/1.42
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Carrete :2,500
Detalles
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
STGD7NB60ST4
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1:
S/11.79
4,900 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD7NB60ST4
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
4,900 En existencias
1
S/11.79
10
S/7.67
100
S/5.29
500
S/4.28
1,000
S/4.01
2,500
S/3.72
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Carrete :2,500
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IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
STGP19NC60HD
STMicroelectronics
1:
S/14.56
2,067 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP19NC60HD
STMicroelectronics
IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
2,067 En existencias
1
S/14.56
10
S/7.51
100
S/6.31
500
S/5.53
1,000
S/5.18
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IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
360°
+6 imágenes
STGP3HF60HD
STMicroelectronics
1:
S/5.33
5,659 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP3HF60HD
STMicroelectronics
IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
5,659 En existencias
1
S/5.33
10
S/2.50
100
S/2.21
500
S/1.86
1,000
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1,000
S/1.44
3,000
S/1.43
6,000
S/1.27
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IGBTs 30A 600v IGBT
STGW30NC60KD
STMicroelectronics
1:
S/27.79
479 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW30NC60KD
STMicroelectronics
IGBTs 30A 600v IGBT
479 En existencias
1
S/27.79
10
S/19.19
100
S/15.76
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Detalles
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
1:
S/41.42
361 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
361 En existencias
1
S/41.42
10
S/24.52
100
S/20.55
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i
STL140N4F7AG
STMicroelectronics
1:
S/8.68
5,549 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL140N4F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i
5,549 En existencias
1
S/8.68
10
S/4.20
100
S/3.76
500
S/2.99
1,000
S/2.79
3,000
S/2.47
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
STL140N6F7
STMicroelectronics
1:
S/12.53
3,039 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL140N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
3,039 En existencias
1
S/12.53
10
S/6.23
100
S/5.64
500
S/4.55
1,000
S/4.40
3,000
S/4.09
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