Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Controladores de puertas DUAL 5 A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE FOR AUTOMOTIVE (AECQ100 GRADE 1)
NCV81071AZR2G
onsemi
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Controladores de puertas DUAL 5 A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE FOR AUTOMOTIVE (AECQ100 GRADE 1)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 58A
SIRA14DDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 58A
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Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
IXFN132N50P3
IXYS
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IXYS
Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V
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SQ9407EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
SQD50N06-09L_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
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S/24.33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
XP65SL380DH
YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
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S/8.68
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S/2.38
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3424CDV-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
349,329 En existencias
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S/2.72
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
FDC608PZ
onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
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S/2.65
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S/1.75
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Controladores de conmutación 560VIN Micropower, Isolated No-Opto Flyb
360°
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LT8316IFE#PBF
Analog Devices
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8,048 En existencias
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Analog Devices
Controladores de conmutación 560VIN Micropower, Isolated No-Opto Flyb
8,048 En existencias
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S/29.89
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Controladores de conmutación Hi In V, C Mode Boost, Fly & SEPIC Cntr
LTC1871IMS-7#PBF
Analog Devices
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N.º de artículo de Mouser 584-LTC1871IMS-7#PBF
Analog Devices
Controladores de conmutación Hi In V, C Mode Boost, Fly & SEPIC Cntr
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S/41.84
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S/25.11
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Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
IXTN400N15X4
IXYS
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S/217.28
408 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXTN400N15X4
IXYS
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH
SISH101DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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48,994 En existencias
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH
48,994 En existencias
1
S/5.92
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S/3.73
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S/2.47
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S/1.93
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S/1.54
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S/1.76
9,000
S/1.50
24,000
S/1.48
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
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SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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S/3.58
138,084 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
138,084 En existencias
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S/3.58
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S/2.24
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S/1.45
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S/1.11
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S/0.86
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S/1.00
6,000
S/0.79
9,000
S/0.74
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.93
143,539 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
143,539 En existencias
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1
S/3.93
10
S/2.79
100
S/1.74
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S/1.20
3,000
S/0.903
6,000
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S/1.06
6,000
S/0.899
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
1:
S/5.88
38,190 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL8N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
38,190 En existencias
1
S/5.88
10
S/3.39
100
S/2.36
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S/1.92
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S/1.60
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1,000
S/1.77
9,000
S/1.55
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Detalles
Controladores de conmutación Hi In V, C Mode Boost, Fly & SEPIC Cntr
LTC1871EMS-7#PBF
Analog Devices
1:
S/37.02
2,477 En existencias
N.º de artículo de Mouser 584-LTC1871EMS-7#PBF
Analog Devices
Controladores de conmutación Hi In V, C Mode Boost, Fly & SEPIC Cntr
2,477 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/37.02
10
S/28.84
50
S/25.50
100
S/24.48
250
Ver
250
S/23.36
500
S/22.77
1,000
S/22.23
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/7.36
56,440 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPN12006NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
56,440 En existencias
1
S/7.36
10
S/4.71
100
S/3.15
500
S/2.48
5,000
S/2.05
10,000
Ver
1,000
S/2.12
10,000
S/2.00
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
SISA14DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/5.02
48,872 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SISA14DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
48,872 En existencias
1
S/5.02
10
S/3.15
100
S/2.07
500
S/1.61
3,000
S/1.27
6,000
Ver
1,000
S/1.46
6,000
S/1.17
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.58
201,463 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
201,463 En existencias
1
S/3.58
10
S/2.24
100
S/1.45
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S/1.11
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S/0.86
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Ver
1,000
S/1.00
6,000
S/0.79
9,000
S/0.74
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Carrete :3,000
Detalles
Controladores de puertas 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN604SIATR
IXYS Integrated Circuits
1:
S/8.45
40,469 En existencias
N.º de artículo de Mouser 849-IXDN604SIATR
IXYS Integrated Circuits
Controladores de puertas 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
40,469 En existencias
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1
S/8.45
10
S/6.27
25
S/5.64
100
S/5.10
2,000
S/4.05
4,000
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S/4.79
500
S/4.63
4,000
S/3.97
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Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
SIR826DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/15.10
12,152 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIR826DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
12,152 En existencias
1
S/15.10
10
S/9.89
100
S/6.93
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S/5.68
3,000
S/5.37
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/9.73
31,294 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
31,294 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.73
10
S/6.27
100
S/4.28
500
S/3.40
1,000
S/3.13
2,500
S/2.93
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/7.63
67,759 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
67,759 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.63
10
S/4.87
100
S/3.26
500
S/2.58
1,000
S/2.36
3,000
S/2.10
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
