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Single SiC Semiconductores

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Tipos de Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R025M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/46.63
215En existencias
240Se espera el 10/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA40R025M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R025M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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215En existencias

240Se espera el 10/09/2026

S/46.63

S/27.87

S/24.06

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R036M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/38.03
240En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA40R036M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R036M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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240En existencias

S/38.03

S/20.47

S/18.88

S/18.41

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R045M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/33.09
225En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA40R045M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R045M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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225En existencias

S/33.09

S/17.56

S/16.15

S/15.30

Min.: 1
Mult.: 1

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

STGAP2SICSACTR
STMicroelectronics
1: S/10.08
1,852En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGAP2SICSACTR

N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2SICSACTR

STMicroelectronics

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

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1,852En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/7.71

S/7.12

S/6.46

Envase tipo carrete

S/5.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

STGAP2SICSANCTR
STMicroelectronics
1: S/7.63
2,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGAP2SICSANCTR

N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2SICSANCTR

STMicroelectronics

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

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2,220En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/5.72

S/5.22

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R016CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/71.58
693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R016CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R016CM8XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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693En existencias

Cinta cortada

S/71.58

S/44.34

S/43.09

Envase tipo carrete

S/41.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2

UG4SC075006K4S
onsemi
1: S/140.13
165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UG4SC075006K4S

N.º de artículo de Mouser
772-UG4SC075006K4S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2

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165En existencias

S/140.13

S/114.36

S/99.03

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)

FGH4L75T65MQDC50
onsemi
1: S/46.90
306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FGH4L75T65MQDC50

N.º de artículo de Mouser
863-FGH4L75T65MQDC50

onsemi

IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)

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306En existencias

S/46.90

S/28.06

S/24.37

Min.: 1
Mult.: 1

Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE

NCV57101DWR2G
onsemi
1: S/11.72
1,584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NCV57101DWR2G

N.º de artículo de Mouser
863-NCV57101DWR2G

onsemi

Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE

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1,584En existencias

Cinta cortada

S/11.72

S/8.76

S/8.02

S/7.20

Envase tipo carrete

S/6.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Módulos MOSFET 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

NXH008P120M3F1PG
onsemi
1: S/421.83
26En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXH008P120M3F1PG

N.º de artículo de Mouser
863-NXH008P120M3F1PG

onsemi

Módulos MOSFET 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Hoja de datos

26En existencias

S/421.83

S/378.78

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos de semiconductores discretos SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A

CAB450M12XM3
Wolfspeed
1: S/3,527.54
174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CAB450M12XM3

N.º de artículo de Mouser
941-CAB450M12XM3

Wolfspeed

Módulos de semiconductores discretos SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A

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174En existencias

S/3,527.54

S/3,323.07

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA75R008M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/160.22
240En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA75R008M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA75R008M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

240En existencias

S/160.22

S/118.10

S/104.44

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO

UG4SC075011K4S
onsemi
1: S/115.26
549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UG4SC075011K4S

N.º de artículo de Mouser
772-UG4SC075011K4S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO

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Hoja de datos

549En existencias

S/115.26

S/76.99

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7

UF3N170400B7S
onsemi
1: S/44.80
1,199En existencias
1,600Se espera el 9/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
UF3N170400B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3N170400B7S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7

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Hoja de datos

1,199En existencias

1,600Se espera el 9/09/2026

Cinta cortada

S/44.80

S/30.98

S/24.13

Envase tipo carrete

S/24.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120

: 800

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/25MOSICJFETG3TO2

UJ3N065025K3S
onsemi
1: S/104.12
130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3N065025K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N065025K3S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/25MOSICJFETG3TO2

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Hoja de datos

130En existencias

S/104.12

S/83.38

S/72.09

S/68.27

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/80MOSICJFETG3TO2

UJ3N065080K3S
onsemi
1: S/47.92
326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3N065080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N065080K3S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/80MOSICJFETG3TO2

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Hoja de datos

326En existencias

S/47.92

S/34.64

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO

UJ3N120065K3S
onsemi
1: S/87.89
385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3N120065K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N120065K3S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO

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Hoja de datos

385En existencias

S/87.89

S/54.57

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO

UJ3N120070K3S
onsemi
1: S/86.88
382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3N120070K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N120070K3S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO

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Hoja de datos

382En existencias

S/86.88

S/64.89

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247

MSC017SMA120B
Microchip Technology
1: S/181.23
141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSC017SMA120B

N.º de artículo de Mouser
579-MSC017SMA120B

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247

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Hoja de datos

141En existencias

S/181.23

S/167.11

S/145.42

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227

MSC017SMA120J
Microchip Technology
1: S/180.73
101En existencias
250Se espera el 31/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
MSC017SMA120J

N.º de artículo de Mouser
579-MSC017SMA120J

Microchip Technology

Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227

Obtenga más información

Hoja de datos

101En existencias

250Se espera el 31/08/2026

S/180.73

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227

MSC040SMA120J
Microchip Technology
1: S/158.58
5En existencias
120Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
MSC040SMA120J

N.º de artículo de Mouser
494-MSC040SMA120J

Microchip Technology

Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

120Se espera el 3/09/2026

S/158.58

S/146.20

S/127.25

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE

NCD57101DWR2G
onsemi
1: S/11.48
45En existencias
1,000Se espera el 11/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
NCD57101DWR2G

N.º de artículo de Mouser
863-NCD57101DWR2G

onsemi

Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE

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Hoja de datos

45En existencias

1,000Se espera el 11/06/2027

Cinta cortada

S/11.48

S/8.60

S/7.86

S/7.08

Envase tipo carrete

S/6.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Automotive advanced isolated gate driver for IGBTs and SiC MOSFETs

STGAP4STR
STMicroelectronics
1: S/31.92
3,485En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STGAP4STR

N.º de artículo de Mouser
511-STGAP4STR

STMicroelectronics

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Automotive advanced isolated gate driver for IGBTs and SiC MOSFETs

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Hoja de datos

3,485En pedido

Cinta cortada

S/31.92

S/24.29

S/19.77

S/17.87

Envase tipo carrete

S/17.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE

IDWD40G200C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/105.41
1,680En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IDWD40G200C5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDWD40G200C5XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE

Hoja de datos

1,680En pedido

S/105.41

S/74.11

S/67.96

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V < 2mohm X4 n-channel MOSFET in SMPD -X

MMIX1T500N20X4-TU
IXYS
1: S/170.53
480En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MMIX1T500N20X4-TU

N.º de artículo de Mouser
747-MMIX1T500N20X4TU

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V < 2mohm X4 n-channel MOSFET in SMPD -X

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Hoja de datos

480En pedido

S/170.53

S/169.36

S/155.70

Min.: 1
Mult.: 1

Single SiC Semiconductores

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