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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N60DM2
STMicroelectronics
1: S/23.20
848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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S/23.20

S/12.18

S/11.13

S/10.12

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S/9.42

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB35N60DM2
STMicroelectronics
1: S/26.35
562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB35N60DM2

STMicroelectronics

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S/26.35

S/15.69

S/12.73

S/11.52

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S/10.43

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB40N60M2
STMicroelectronics
1: S/24.52
913En existencias
1,000Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STB40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB40N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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1,000Se espera el 29/01/2027

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S/24.52

S/12.96

S/11.83

S/11.48

Envase tipo carrete

S/10.28

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package

STD130N6F7
STMicroelectronics
1: S/7.86
3,798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD130N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package

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S/7.86

S/3.77

S/3.37

S/2.67

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.15

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package

STD36P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/7.12
3,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD36P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STD36P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package

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S/7.12

S/3.39

S/3.03

S/2.39

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

STD4NK80Z-1
STMicroelectronics
1: S/11.17
3,436En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4NK80Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK80Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

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S/11.17

S/5.10

S/4.13

S/3.49

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD6N80K5
STMicroelectronics
1: S/10.86
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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S/10.86

S/5.45

S/4.75

S/3.93

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S/3.27

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Min.: 1
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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

STD80N4F6
STMicroelectronics
1: S/10.47
2,921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N4F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N4F6

STMicroelectronics

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S/10.47

S/5.14

S/4.63

S/3.69

S/3.56

Envase tipo carrete

S/3.19

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

STF100N10F7
STMicroelectronics
1: S/10.90
1,897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STF100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

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S/10.90

S/6.23

S/4.83

S/3.93

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STF13N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.87
2,951En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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2,951En existencias

S/8.87

S/5.10

S/3.79

S/3.07

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh

STF24NM60N
STMicroelectronics
1: S/19.15
2,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh

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2,083En existencias

S/19.15

S/9.89

S/8.99

S/7.40

S/7.24

Min.: 1
Mult.: 1

STF35N60DM2
STMicroelectronics
1: S/25.15
538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF35N60DM2

STMicroelectronics

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538En existencias

S/25.15

S/13.31

S/12.18

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU23N80K5
STMicroelectronics
1: S/24.76
1,945En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU23N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFU23N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

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1,945En existencias

S/24.76

S/13.08

S/11.95

S/11.02

S/9.73

Min.: 1
Mult.: 1

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver

STGAP2SCMTR
STMicroelectronics
1: S/8.33
5,270En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGAP2SCMTR

N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2SCMTR

STMicroelectronics

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver

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S/8.33

S/6.19

S/5.64

S/5.02

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250

: 2,500

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

STGAP2SICSNTR
STMicroelectronics
1: S/15.41
779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGAP2SICSNTR

N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2SICSNTR

STMicroelectronics

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

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779En existencias

Cinta cortada

S/15.41

S/12.49

S/11.76

S/10.94

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Envase tipo carrete

S/10.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp

STGW20NC60V
STMicroelectronics
1: S/16.35
932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW20NC60V

N.º de artículo de Mouser
511-STGW20NC60V

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp

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932En existencias

S/16.35

S/10.59

S/8.87

S/7.79

S/7.59

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL110N4F7AG
STMicroelectronics
1: S/8.33
4,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL110N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL110N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i

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4,764En existencias

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S/8.33

S/5.22

S/3.43

S/2.72

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

STL12N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.77
3,363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL12N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

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3,363En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/5.49

S/4.24

S/3.39

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III

STL7DN6LF3
STMicroelectronics
1: S/10.35
4,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7DN6LF3

N.º de artículo de Mouser
511-STL7DN6LF3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III

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4,699En existencias

Cinta cortada

S/10.35

S/5.10

S/4.59

S/3.66

S/3.51

Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in

STL7LN65K5AG
STMicroelectronics
1: S/15.10
5,586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7LN65K5AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL7LN65K5AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in

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5,586En existencias

Cinta cortada

S/15.10

S/7.63

S/6.93

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected

STL7N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.26
5,158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected

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5,158En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.92

S/4.87

S/4.20

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Circuitos de supervisión Lo Pwr Vltg Detector

STM1061N21WX6F
STMicroelectronics
1: S/3.04
7,815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STM1061N21WX6F

N.º de artículo de Mouser
511-STM1061N21WX6F

STMicroelectronics

Circuitos de supervisión Lo Pwr Vltg Detector

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7,815En existencias

Cinta cortada

S/3.04

S/2.18

S/2.03

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.35

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Microcontroladores ARM - MCU Cortex M0 16kB 48MHz Motor CTRL SRAM MCU

STM32F031G4U6
STMicroelectronics
1: S/11.56
8,085En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STM32F031G4U6

N.º de artículo de Mouser
511-STM32F031G4U6

STMicroelectronics

Microcontroladores ARM - MCU Cortex M0 16kB 48MHz Motor CTRL SRAM MCU

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8,085En existencias

S/11.56

S/8.64

S/7.43

S/7.08

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Min.: 1
Mult.: 1

Microcontroladores ARM - MCU Mainstream Arm Cortex-M0 Access line MCU 128 Kbytes of Flash 48 MHz CPU & CEC fu

STM32F071VBT6
STMicroelectronics
1: S/21.14
868En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STM32F071VBT6

N.º de artículo de Mouser
511-STM32F071VBT6

STMicroelectronics

Microcontroladores ARM - MCU Mainstream Arm Cortex-M0 Access line MCU 128 Kbytes of Flash 48 MHz CPU & CEC fu

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868En existencias

S/21.14

S/16.39

S/15.41

S/14.60

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Min.: 1
Mult.: 1

Microcontroladores ARM - MCU Mainstream Arm Cortex-M0 USB line MCU 128 Kbytes of Flash 48 MHz CPU, USB, CAN &

STM32F072RBT7
STMicroelectronics
1: S/25.81
410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STM32F072RBT7

N.º de artículo de Mouser
511-STM32F072RBT7

STMicroelectronics

Microcontroladores ARM - MCU Mainstream Arm Cortex-M0 USB line MCU 128 Kbytes of Flash 48 MHz CPU, USB, CAN &

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410En existencias

S/25.81

S/19.77

S/17.36

S/16.54

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Mult.: 1

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