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N.° de pieza

Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXTN550N055T2
IXYS
1: S/214.71
211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTN550N055T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTN550N055T2

IXYS

Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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211En existencias

S/214.71

S/173.45

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD

IXYH100N65C5
IXYS
1: S/62.16
70En existencias
300Se espera el 18/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXYH100N65C5

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH100N65C5

IXYS

IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD

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70En existencias

300Se espera el 18/01/2027

S/62.16

S/43.44

S/33.32

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores FRED DIODE 600V, 37A

DSEI36-06AS
IXYS
1: S/32.58
4,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DSEI36-06AS

N.º de artículo de Mouser
747-DSEI36-06AS

IXYS

Rectificadores FRED DIODE 600V, 37A

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4,222En existencias

Cinta cortada

S/32.58

S/22.97

S/18.57

S/16.50

Envase tipo carrete

S/14.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT10N100D2
IXYS
1: S/106.03
786En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT10N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT10N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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786En existencias

S/106.03

S/84.90

S/73.37

S/69.48

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores 5A 600V

DURD560A
IXYS
1: S/7.67
13,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DURD560A

N.º de artículo de Mouser
576-DURD560A

IXYS

Rectificadores 5A 600V

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13,790En existencias

Cinta cortada

S/7.67

S/3.67

S/3.29

S/2.60

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SCR 45 Amps 1200V

CS45-12IO1
IXYS
1: S/32.74
511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CS45-12IO1

N.º de artículo de Mouser
747-CS45-12IO1

IXYS

SCR 45 Amps 1200V

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511En existencias

S/32.74

S/17.56

S/15.38

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores 120 Amps 1200V

DSEC120-12AK
IXYS
1: S/86.84
1,051En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DSEC120-12AK

N.º de artículo de Mouser
747-DSEC120-12AK

IXYS

Rectificadores 120 Amps 1200V

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1,051En existencias

S/86.84

S/53.17

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores 120 Amps 1200V

DSEP2X61-12A
IXYS
1: S/194.78
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DSEP2X61-12A

N.º de artículo de Mouser
747-DSEP2X61-12A

IXYS

Rectificadores 120 Amps 1200V

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100En existencias

S/194.78

S/176.64

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores 6 Amps 600V

DSEP6-06AS
IXYS
1: S/12.69
2,285En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DSEP6-06AS

N.º de artículo de Mouser
747-DSEP6-06AS

IXYS

Rectificadores 6 Amps 600V

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2,285En existencias

Cinta cortada

S/12.69

S/8.25

S/5.68

S/4.75

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

IGBTs TO247 3KV 12A IGBT

IXBH12N300
IXYS
1: S/187.19
275En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXBH12N300

N.º de artículo de Mouser
747-IXBH12N300

IXYS

IGBTs TO247 3KV 12A IGBT

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275En existencias

S/187.19

S/142.78

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD

IXBH20N300
IXYS
1: S/336.51
281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXBH20N300

N.º de artículo de Mouser
747-IXBH20N300

IXYS

IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD

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281En existencias

S/336.51

S/292.09

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X3CLASS

IXFA34N65X3
IXYS
1: S/43.71
639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA34N65X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA34N65X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X3CLASS

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S/43.71

S/24.41

S/22.77

S/22.15

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds

IXFH20N80P
IXYS
1: S/51.54
244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds

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S/51.54

S/28.61

S/27.44

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

IXFH36N50P
IXYS
1: S/52.78
625En existencias
480Se espera el 30/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

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625En existencias

480Se espera el 30/11/2026

S/52.78

S/29.39

S/28.49

S/28.34

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

IXFK140N20P
IXYS
1: S/79.95
284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK140N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

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284En existencias

S/79.95

S/48.42

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 300V 150A N-CH X3CLASS

IXFK150N30X3
IXYS
1: S/98.29
260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK150N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 300V 150A N-CH X3CLASS

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260En existencias

S/98.29

S/65.71

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

IXFT140N10P
IXYS
1: S/78.01
507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT140N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT140N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

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507En existencias

S/78.01

S/50.95

S/45.89

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS

IXFX210N30X3
IXYS
1: S/152.43
283En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX210N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX210N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS

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283En existencias

S/152.43

S/109.92

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A

IXGH20N120A3
IXYS
1: S/39.20
303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGH20N120A3

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH20N120A3

IXYS

IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A

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303En existencias

S/39.20

S/23.08

S/19.42

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

IXTH120N20X4
IXYS
1: S/50.99
1,197En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH120N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH120N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

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S/50.99

S/28.30

S/27.09

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

IXTH180N10T
IXYS
1: S/39.43
1,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH180N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH180N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

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1,295En existencias

S/39.43

S/21.29

S/19.62

S/19.35

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds

IXTH48P20P
IXYS
1: S/61.19
482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH48P20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH48P20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds

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482En existencias

S/61.19

S/34.60

S/34.29

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

IXTK102N65X2
IXYS
1: S/95.21
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK102N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK102N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

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238En existencias

S/95.21

S/60.49

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds

IXTP36N30P
IXYS
1: S/25.65
4,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP36N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP36N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds

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S/25.65

S/14.29

S/12.85

S/11.60

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS

IXTX120N65X2
IXYS
1: S/114.36
213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS

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213En existencias

S/114.36

S/77.31

Min.: 1
Mult.: 1

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