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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 91

Filtros aplicados:

Fabricante = Valores múltiples

Polaridad del transistor

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: S/60.57
1,533En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

1,533En existencias

S/60.57

S/42.86

S/39.66

S/39.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

11.5 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: S/68.16
1,332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

1,332En existencias

S/68.16

S/48.54

S/44.57

S/43.21

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD54008L-E
STMicroelectronics
1: S/33.28
3,649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

3,649En existencias

Cinta cortada

S/33.28

S/23.98

S/21.64

S/18.37

Envase tipo carrete

S/18.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

15 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: S/44.18
5,857En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

5,857En existencias

S/44.18

S/30.75

S/28.34

S/28.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015S-E
STMicroelectronics
1: S/98.95
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

228En existencias

S/98.95

S/79.21

S/68.51

S/64.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: S/86.34
573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

Hoja de datos

573En existencias

Cinta cortada

S/86.34

S/64.81

S/61.62

Envase tipo carrete

S/56.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: S/684.46
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

110En existencias

Cinta cortada

S/684.46

S/546.12

Envase tipo carrete

S/546.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 120

N-Channel

2.5 A

110 V

1 Ohms

1 GHz

19 dB

400 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1: S/764.80
18En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L15120CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

S/764.80

S/605.56

Envase tipo carrete

S/605.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Dual N-Channel

2.5 A

95 V

1 Ohms

1 GHz

20 dB

120 W

+ 200 C

SMD/SMT

LBB-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1: S/684.46
20En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

20En existencias

Cinta cortada

S/684.46

S/546.12

Envase tipo carrete

S/546.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 120

N-Channel

2.5 A

65 V

1 Ohms

1.6 GHz

14 dB

180 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD57030-E
STMicroelectronics
1: S/194.12
511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57030-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

511En existencias

S/194.12

S/145.31

S/130.36

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

1 GHz

14 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-10W
STMicroelectronics
1: S/364.49
626En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

626En existencias

S/364.49

S/289.56

S/277.81

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

125 V

230 MHz

15 dB

150 W

+ 150 C

SMD/SMT

M174

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz

SD2942W
STMicroelectronics
1: S/749.85
129En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2942W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2942W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz

Hoja de datos

129En existencias

S/749.85

S/614.31

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

130 V

175 MHz

15 dB

350 W

+ 200 C

Screw Mount

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD55003L-E
STMicroelectronics
1: S/30.52
1,657En existencias
3,000Se espera el 15/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
PD55003L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

1,657En existencias

3,000Se espera el 15/09/2026

Cinta cortada

S/30.52

S/21.91

S/19.66

S/18.61

Envase tipo carrete

S/18.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003TR-E
STMicroelectronics
1: S/35.07
288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

288En existencias

Cinta cortada

S/35.07

S/25.30

S/22.93

Envase tipo carrete

S/21.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55008TR-E
STMicroelectronics
1: S/60.57
449En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

449En existencias

Cinta cortada

S/60.57

S/44.76

Envase tipo carrete

S/38.42

S/36.98

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015-E
STMicroelectronics
1: S/90.50
137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

137En existencias

S/90.50

S/65.36

S/61.42

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55025S-E
STMicroelectronics
1: S/124.13
112En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

112En existencias

S/124.13

S/91.01

S/86.69

S/82.33

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

40 V

1 GHz

14.5 dB

25 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD57018-E
STMicroelectronics
1: S/121.41
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57018-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

487En existencias

S/121.41

S/88.90

S/84.58

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

65 V

760 mOhms

1 GHz

16.5 dB

18 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060-E
STMicroelectronics
1: S/249.00
305En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57060-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

305En existencias

S/249.00

S/188.51

S/186.80

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

65 V

1 GHz

14.3 dB

60 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035-E
STMicroelectronics
1: S/128.61
343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD85035-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

343En existencias

S/128.61

S/94.47

S/90.07

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8 A

40 V

870 MHz

14.9 dB

35 W

- 65 C

+ 165 C

SMD/SMT

PowerSO-12

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-11W
STMicroelectronics
1: S/333.59
141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-11W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

141En existencias

S/333.59

S/264.15

S/253.87

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

125 V

175 MHz

14 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz

SD2932W
STMicroelectronics
1: S/788.85
84En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz

Hoja de datos

84En existencias

S/788.85

S/648.45

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

125 V

250 MHz

16 dB

300 W

+ 150 C

SMD/SMT

M244

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

SD4933MR
STMicroelectronics
1: S/644.79
106En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD4933MR

N.º de artículo de Mouser
511-SD4933MR

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

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Hoja de datos

106En existencias

300En pedido

S/644.79

S/511.94

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

200 V

100 MHz

24 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

M177MR-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch

STAC2942BW
STMicroelectronics
1: S/564.02
105En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STAC2942BW

N.º de artículo de Mouser
511-STAC2942BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch

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Hoja de datos

105En existencias

S/564.02

S/437.36

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

130 V

250 MHz

21 dB

350 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

STAC244B

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD54003-E
STMicroelectronics
1: S/50.80
105En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

105En existencias

S/50.80

S/34.64

S/31.57

S/26.82

S/26.59

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

25 V

1 GHz

12 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 MHz
100 MHz
150 MHz
175 MHz
200 MHz
230 MHz
250 MHz
500 MHz
860 MHz
870 MHz
930 MHz
945 MHz
1 GHz
1.47 GHz
1.5 GHz
1.6 GHz
1.625 GHz
2.7 GHz
3.5 GHz
3.6 GHz

11.5 dB
12 dB
12.5 dB
13 dB
13.4 dB
14 dB
14.3 dB
14.5 dB
14.8 dB
14.9 dB
15 dB
16 dB
16.5 dB
17 dB
17.3 dB
17.5 dB
18 dB
19 dB
20 dB
21 dB

3 W
8 W
12 W
15 W
18 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
60 W
75 W
80 W
120 W
150 W
175 W
180 W
200 W
250 W
300 W

A2-3
B2-3
B4E-5
E2-3
LBB-3
LBB-4
LBB-5
M174
M177
M177MR-5
M243
M243-3
M244
M246
M250
MM-2
PowerFLAT (5x5)
PowerSO-10
PowerSO-10RF-2
PowerSO-10RF-Formed-4