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RF Power MOSFET Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 247

Filtros aplicados:

Tipo = RF Power MOSFET

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: S/68.16
1,332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

1,332En existencias

S/68.16

S/45.35

S/42.78

S/42.74

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: S/60.57
1,538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

1,538En existencias

S/60.57

S/42.86

S/39.66

S/39.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

11.5 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD54008L-E
STMicroelectronics
1: S/33.28
3,649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

3,649En existencias

Cinta cortada

S/33.28

S/23.94

S/21.64

S/21.60

S/20.47

Envase tipo carrete

S/18.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

15 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: S/44.18
5,857En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

5,857En existencias

S/44.18

S/30.75

S/28.34

S/28.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

MRF158
MACOM
1: S/389.41
524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF158

N.º de artículo de Mouser
937-MRF158

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

524En existencias

S/389.41

S/325.53

S/315.92

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

500 mA

65 V

500 MHz

18 dB

2 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

305A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

MRF150MP
MACOM
1: S/2,319.77
408En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF150MP

N.º de artículo de Mouser
937-MRF150MP

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

Hoja de datos

408En existencias

S/2,319.77

S/2,108.06

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

125 V

150 MHz

17 dB

150 W

+ 200 C

SMD/SMT

221-11-3

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

ARF1501
Microchip Technology
1: S/1,109.83
56En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1501

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1501

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

56En existencias

S/1,109.83

S/1,103.91

S/1,067.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

30 A

1 kV

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg

MRF151A
MACOM
1: S/1,366.50
260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF151A

N.º de artículo de Mouser
937-MRF151A

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg

Hoja de datos

260En existencias

S/1,366.50

S/1,142.72

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

125 V

175 MHz

13 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

244-4

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB

MRF177
MACOM
1: S/1,220.30
340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF177

N.º de artículo de Mouser
937-MRF177

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB

Obtenga más información

Hoja de datos

340En existencias

S/1,220.30

S/1,030.46

S/976.20

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

400 MHz

12 dB

100 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

744A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015S-E
STMicroelectronics
1: S/98.95
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

228En existencias

S/98.95

S/79.21

S/68.51

S/64.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

VRF151
Microchip Technology
1: S/272.98
69En existencias
75Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
VRF151

N.º de artículo de Mouser
494-VRF151

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

Hoja de datos

69En existencias

75Se espera el 26/10/2026

S/272.98

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

180 V

175 MHz

22 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH7F71
CML Micro
1: S/326.35
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH7F71

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH7F71

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

3En existencias

Cinta cortada

S/326.35

Envase tipo carrete

S/326.35

S/294.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 10

N-Channel

GaAs

28 GHz

15 dB

24.5 dBm

SMD/SMT

Die

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: S/86.34
573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

Hoja de datos

573En existencias

Cinta cortada

S/86.34

S/64.81

S/61.62

Envase tipo carrete

S/56.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF460BG
Microchip Technology
1: S/218.52
63En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF460BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF460BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

63En existencias

S/218.52

S/211.40

S/188.47

S/151.46

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

14 A

500 V

65 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

MRF174
MACOM
1: S/594.81
68En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF174

N.º de artículo de Mouser
937-MRF174

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

Hoja de datos

68En existencias

S/594.81

S/487.15

S/480.57

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

13 A

65 V

200 MHz

9 dB

125 W

- 65 C

+ 200 C

Screw Mount

211-07

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH11F
CML Micro
10: S/523.00
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH11F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH11F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

90En existencias

S/523.00

S/496.96

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

440 mA to 800 mA

8 V

12 GHz

9 dB

32 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

MRF157
MACOM
1: S/4,590.27
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF157

N.º de artículo de Mouser
937-MRF157

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

Obtenga más información

Hoja de datos

8En existencias

S/4,590.27

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

60 A

125 V

80 MHz

21 dB

600 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

AFT27S006NT1
NXP Semiconductors
1: S/85.64
1,223En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT27S006NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

Hoja de datos

1,223En existencias

Cinta cortada

S/85.64

S/63.95

S/59.36

S/57.26

Ver

Envase tipo carrete

S/42.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

N-Channel

65 V

728 MHz to 3.7 GHz

16 dB

28.8 dBm

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5W

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH8F
CML Micro
10: S/480.61
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH8F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

S/480.61

S/458.23

S/448.77

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

250 mA to 300 mA

8 V

18 GHz

11 dB

30 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH8F71
CML Micro
1: S/532.77
6En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH8F71

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F71

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

6En existencias

Cinta cortada

S/532.77

Envase tipo carrete

S/532.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 10

N-Channel

GaAs

18 GHz

12 dB

30 dBm

SMD/SMT

Die

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

MRF134
MACOM
1: S/387.19
5En existencias
360En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF134

N.º de artículo de Mouser
937-MRF134

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

360En pedido

S/387.19

S/322.07

S/316.23

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

900 mA

65 V

400 MHz

11 dB

5 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

ARF1510
Microchip Technology
1: S/1,334.50
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1510

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1510

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

4En existencias

S/1,334.50

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8 A

1 kV

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
1: S/24.95
420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SK4037(TE12L,Q)

N.º de artículo de Mouser
757-2SK4037TE12LQ

Toshiba

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

Hoja de datos

420En existencias

Cinta cortada

S/24.95

S/16.35

S/12.07

S/10.70

Envase tipo carrete

S/9.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

N-Channel

3 A

12 V

470 MHz

11.5 dB

36.5 dBm

+ 150 C

SMD/SMT

PW-X-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

FH2164
MACOM
1: S/668.34
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FH2164

N.º de artículo de Mouser
937-FH2164

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

Hoja de datos

17En existencias

S/668.34

S/559.66

S/549.08

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

30 MHz to 90 MHz

13 dB

8 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH27F71
CML Micro
1: S/218.14
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH27F71

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

S/218.14

Envase tipo carrete

S/218.14

S/188.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 10

N-Channel

GaAs

26 GHz

16 dB

25 dBm

SMD/SMT

Die

Reel, Cut Tape

RF Power MOSFET Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
6 mA
64 mA
100 mA
240 mA to 280 mA
250 mA to 300 mA
250 mA to 500 mA
310 mA to 360 mA
340 mA
440 mA to 800 mA
500 mA
900 mA
1 A
1.5 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A

8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
40 V
60 V
65 V
66 V
90 V
95 V
100 V
105 V
108 V
110 V
125 V
130 V

30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 450 MHz
1.215 MHz to 960 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
30 MHz
30 MHz to 90 MHz
40 MHz
45 MHz
65 MHz
80 MHz
100 MHz
100 MHz to 20 GHz
100 MHz to 26.5 GHz
100 MHz to 500 MHz

8 dB
8.8 dB
9 dB
10 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.5 dB
13 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB
14.3 dB
14.5 dB
14.8 dB
14.9 dB
15 dB

200 mW
2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
18 W
20 W
21 dBm
22 dBm
23 dBm
24 dBm
24.5 dBm

211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
368-3
375-04
744A-01
A2-3
B2-3
B4E-5
DFN-16
DFN-6
Die
Die-21
E2-3
HVSON-16