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GRF0030

Name: Guerrilla RF GRF0030
Brand: Guerrilla RF
SKU: 459-GRF0030
Price: 330.55 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

459-GRF0030

Fabricante N.º:

GRF0030

Fabricante:

Guerrilla RF

Descripción:

Amplificador de RF Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 50W PSAT at 50V or 25W PSAT at 28V

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/330.55	S/330.55
	S/283.88	S/2,838.80
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
	S/253.87	S/12,693.50
	S/246.78	S/24,678.00
250	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Guerrilla RF
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Guerrilla RF
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits

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USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000

GRFx GaN HEMT Power Transistors

Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors are unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications. These transistors operate across a wide frequency range of DC to 6GHz, 7GHz, and 8GHz with an operating drain voltage of 28V and 50V. The GRFx transistors support both linear and pulsed modes and are 100% DC, and RF production tested. These transistors are housed in a compact, industry-standard 3mm x 3mm QFN-16 surface mount package, are lead-free, and RoHS compliant. Typical applications include cellular infrastructure, radar systems, communications, and test instrumentation.