MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Resultados: 24

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH65N120L2KHV
IXYS
1: S/39.00
80En existencias
450Se espera el 25/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH65N120L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH65N120L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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Hoja de datos

80En existencias

450Se espera el 25/05/2026

Cinta cortada

S/39.00

S/29.58

S/24.64

Envase tipo carrete

S/21.95

S/19.58

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 450

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

52 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

IXSA65N120L2-7TR
IXYS
1: S/38.96
78En existencias
800Se espera el 25/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA65N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA65N120L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

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Hoja de datos

78En existencias

800Se espera el 25/05/2026

Cinta cortada

S/38.96

S/28.80

S/21.41

S/17.48

Envase tipo carrete

S/17.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

53 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

LSIC1MO170E0750
IXYS
1: S/18.68
1,867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO170E0750

N.º de artículo de Mouser
576-LSIC1MO170E0750

IXYS

MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

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Hoja de datos

1,867En existencias

S/18.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6.2 A

1 Ohms

- 5 V, + 20 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA110N65L2-7TR
IXYS
1: S/43.28
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA110N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA110N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

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Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

S/43.28

S/33.05

S/27.56

S/24.06

Envase tipo carrete

S/20.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263

IXSA20N120L2-7TR
IXYS
1: S/24.06
894En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA20N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA20N120L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263

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Hoja de datos

894En existencias

Cinta cortada

S/24.06

S/18.45

S/14.91

S/13.23

Envase tipo carrete

S/11.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA40N65L2-7TR
IXYS
1: S/28.65
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA40N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA40N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

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Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

S/28.65

S/20.24

S/16.85

S/15.03

Envase tipo carrete

S/13.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA60N65L2-7TR
IXYS
1: S/35.73
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA60N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA60N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

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Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

S/35.73

S/26.00

S/21.68

S/19.31

Envase tipo carrete

S/17.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

IXSG110N65L2K
IXYS
1: S/43.28
2,090En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG110N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG110N65L2K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

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Hoja de datos

2,090En existencias

Cinta cortada

S/43.28

S/33.05

S/27.56

S/25.03

Envase tipo carrete

S/20.82

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

IXSG40N65L2K
IXYS
1: S/28.88
2,095En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG40N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG40N65L2K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

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2,095En existencias

Cinta cortada

S/28.88

S/19.58

S/14.79

S/14.01

Envase tipo carrete

S/12.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

IXSG60N65L2K
IXYS
1: S/35.15
2,100En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG60N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG60N65L2K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

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Hoja de datos

2,100En existencias

Cinta cortada

S/35.15

S/25.57

S/21.29

S/19.00

S/16.89

Envase tipo carrete

S/16.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TTOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH100N65L2KHV
IXYS
1: S/44.10
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH100N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH100N65L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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Hoja de datos

550En existencias

S/44.10

S/33.86

S/24.64

S/24.60

S/20.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH20N120L2KHV
IXYS
1: S/22.93
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH20N120L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH20N120L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L

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Hoja de datos

550En existencias

Cinta cortada

S/22.93

S/17.32

S/14.01

Envase tipo carrete

S/12.42

S/10.63

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 450

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH40N65L2KHV
IXYS
1: S/29.23
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH40N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH40N65L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

Obtenga más información

Hoja de datos

550En existencias

S/29.23

S/20.63

S/17.20

S/15.30

S/13.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH60N65L2KHV
IXYS
1: S/35.23
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH60N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH60N65L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

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Hoja de datos

550En existencias

S/35.23

S/26.20

S/21.84

S/19.46

S/17.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

IXSJ25N120R1
IXYS
1: S/53.48
400En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSJ25N120R1

N.º de artículo de Mouser
747-IXSJ25N120R1

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

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Hoja de datos

400En existencias

S/53.48

S/39.94

S/34.53

S/32.66

S/27.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

81 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

52 nC

- 40 C

+ 150 C

75.3 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

IXSJ43N120R1
IXYS
1: S/72.60
478En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSJ43N120R1

N.º de artículo de Mouser
747-IXSJ43N120R1

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

Obtenga más información

Hoja de datos

478En existencias

S/72.60

S/58.12

S/50.25

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

45 A

47 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

142 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L

IXSJ43N120R1K
IXYS
1: S/74.27
276En existencias
100Se espera el 7/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSJ43N120R1K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSJ43N120R1K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L

Obtenga más información

Hoja de datos

276En existencias

100Se espera el 7/09/2026

S/74.27

S/55.47

S/47.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ISO247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

46 A

47 mOhms

21 V

4.8 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

143.7 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

IXSJ80N120R1
IXYS
1: S/118.45
472En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSJ80N120R1

N.º de artículo de Mouser
747-IXSJ80N120R1

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

Obtenga más información

Hoja de datos

472En existencias

S/118.45

S/98.99

S/86.57

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

85 A

22.5 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

154 nC

- 40 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

IXSA40N120L2-7TR
IXYS
1: S/32.04
795En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA40N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA40N120L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Obtenga más información

Hoja de datos

795En existencias

Cinta cortada

S/32.04

S/32.00

S/30.75

Envase tipo carrete

S/30.75

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

104 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

IXSA80N120L2-7TR
IXYS
1: S/46.71
760En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA80N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA80N120L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Obtenga más información

Hoja de datos

760En existencias

Cinta cortada

S/46.71

S/38.03

S/29.78

S/28.26

Envase tipo carrete

S/27.33

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

79 A

39 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH40N120L2KHV
IXYS
1: S/33.86
408En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH40N120L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH40N120L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Obtenga más información

Hoja de datos

408En existencias

S/33.86

S/32.54

S/31.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

104 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH80N120L2KHV
IXYS
1: S/48.46
392En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH80N120L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH80N120L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Obtenga más información

Hoja de datos

392En existencias

S/48.46

S/39.47

S/32.89

S/29.27

S/27.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

79 A

39 mOhms

- 5 V, + 20 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L

LSIC1MO170T0750
IXYS
1: S/38.07
63En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO170T0750

N.º de artículo de Mouser
576-LSIC1MO170T0750

IXYS

MOSFETs de SiC 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L

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63En existencias

S/38.07

S/22.85

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-7 (TO-263-7)

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6.4 A

750 mOhms

- 20 V, + 20 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L

IXSJ80N120R1K
IXYS
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IXSJ80N120R1K

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747-IXSJ80N120R1K

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S/87.39

S/79.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ISO247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

85 A

23.4 mOhms

21 V

4.8 V

155 nC

- 40 C

+ 150 C

223.2 W

Enhancement

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