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X3-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 13

Filtros aplicados:

Serie = X3-Class

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

IXFK240N25X3
IXYS
1: S/120.98
879En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK240N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK240N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

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Hoja de datos

879En existencias

S/120.98

S/85.67

S/82.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

240 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFH80N25X3
IXYS
1: S/46.94
384En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

384En existencias

S/46.94

S/28.49

S/24.33

S/23.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

IXFX300N20X3
IXYS
1: S/127.91
260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX300N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX300N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

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260En existencias

S/127.91

S/84.00

S/82.40

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

200 V

300 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFA80N25X3
IXYS
1: S/41.03
674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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674En existencias

S/41.03

S/26.51

S/23.00

S/21.91

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

IXFK300N20X3
IXYS
1: S/128.10
265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK300N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK300N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

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265En existencias

S/128.10

S/85.67

S/82.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

300 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFA60N25X3
IXYS
1: S/36.59
207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA60N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA60N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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207En existencias

S/36.59

S/20.20

S/18.61

S/16.50

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

250 V

60 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFP60N25X3
IXYS
1: S/35.93
229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP60N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP60N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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229En existencias

S/35.93

S/22.58

S/20.20

S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

60 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFP60N25X3M
IXYS
1: S/36.20
206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP60N25X3M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP60N25X3M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

206En existencias

S/36.20

S/19.97

S/18.37

S/16.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

60 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFP80N25X3
IXYS
1: S/40.17
210En existencias
300Se espera el 30/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFP80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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210En existencias

300Se espera el 30/09/2026

S/40.17

S/22.42

S/20.67

S/18.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

IXFT170N25X3HV
IXYS
1: S/83.38
1,750Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT170N25X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT170N25X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

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Hoja de datos

1,750Se espera el 24/08/2026

S/83.38

S/54.11

S/49.51

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

170 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFJ80N25X3
IXYS
300: S/33.51
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFJ80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFJ80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/33.51

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

250 V

44 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

IXFK170N25X3
IXYS
300: S/54.03
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFK170N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK170N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/54.03

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

170 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFQ60N25X3
IXYS
300: S/21.33
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ60N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ60N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/21.33

S/20.51

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

250 V

60 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

X3-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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