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OptiMOS 2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Serie = OptiMOS 2

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.62
24,303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSFGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFGATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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24,303En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.24

S/2.82

S/2.23

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Envase tipo carrete

S/1.88

MouseReel Disponible

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC118N10NS G
Infineon Technologies
1: S/7.75
4,333En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC118N10NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC118N10NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

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Hoja de datos

4,333En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.90

S/3.33

S/2.64

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Envase tipo carrete

S/2.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

11.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD25CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.77
15,387En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD25CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD25CN10NGATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

15,387En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/4.32

S/2.88

S/2.28

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.93

MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD33CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.03
2,144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD33CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

2,144En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.81

S/2.54

S/2.00

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

27 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSF G
Infineon Technologies
1: S/5.84
2,155En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC265N10LSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC265N10LSFG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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Hoja de datos

2,155En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.68

S/2.44

S/1.93

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Envase tipo carrete

S/1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
5,517En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC265N10LSFGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC265N10LSFGATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

5,517En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.49

S/2.42

S/1.90

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC100N10NSF G
Infineon Technologies
1: S/10.20
10,695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC100N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

10,695En existencias

Cinta cortada

S/10.20

S/6.58

S/4.55

S/3.64

S/3.40

Envase tipo carrete

S/3.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: S/6.81
1,599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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Hoja de datos

1,599En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.88

S/2.36

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Envase tipo carrete

S/1.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD78CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.55
6,959En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD78CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD78CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

6,959En pedido

Cinta cortada

S/4.55

S/2.85

S/1.87

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 29A DPAK-2

IPD350N06L G
Infineon Technologies
1: S/4.01
2,300Se espera el 9/04/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD350N06L G

N.º de artículo de Mouser
726-IPD350N06LG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 29A DPAK-2

Hoja de datos

2,300Se espera el 9/04/2026

Cinta cortada

S/4.01

S/2.56

S/1.72

S/1.31

Envase tipo carrete

S/1.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

29 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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