.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IRFBF Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 11

Filtros aplicados:

Serie = IRFBF

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET

IRFBF20PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.13
9,533En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBF20PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFBF20PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

9,533En existencias

S/11.13

S/7.20

S/5.14

S/4.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

1.7 A

8 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET

IRFBF20PBF
Vishay Semiconductors
1: S/11.13
2,805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBF20PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBF20PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,805En existencias

S/11.13

S/5.25

S/4.71

S/4.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

1.7 A

8 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp

IRFBF20STRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.24
1,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBF20STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBF20STRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp

Hoja de datos

1,478En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/6.62

S/4.75

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.19

S/3.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

1.7 A

8 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET

IRFBF30PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.42
6En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBF30PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFBF30PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

6En existencias

S/12.42

S/4.67

S/4.36

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

3.6 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp

IRFBF20LPBF
Vishay Semiconductors
1: S/8.45
337En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBF20LPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBF20LPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp

Hoja de datos

337En existencias

S/8.45

S/6.15

S/5.33

S/4.55

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

900 V

1.7 A

8 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET

IRFBF20SPBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.55
848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBF20SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBF20SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET

Hoja de datos

848En existencias

S/10.55

S/5.29

S/4.44

S/3.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

1.7 A

8 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp

IRFBF20STRRPBF
Vishay Semiconductors
1: S/11.68
285En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBF20STRRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBF20STRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp

Hoja de datos

285En existencias

Cinta cortada

S/11.68

S/7.59

S/5.57

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET

IRFBF30PBF
Vishay Semiconductors
1: S/13.90
364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBF30PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBF30PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

364En existencias

S/13.90

S/6.11

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

3.6 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V

IRFBF30STRRPBF
Vishay / BC Components
800: S/4.36
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBF30STRRPBF

N.º de artículo de Mouser
594-IRFBF30STRRPBF

Vishay / BC Components

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V

Hoja de datos

No en existencias

S/4.36

S/3.75

S/3.56

S/3.54

S/3.44

Min.: 800
Mult.: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V

IRFBF30SPBF
Vishay / BC Components
1,000: S/7.05
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBF30SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBF30SPBF

Vishay / BC Components

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V

Hoja de datos

No en existencias

S/7.05

S/6.89

S/6.81

Presupuesto

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET

IRFBF30STRLPBF
Vishay / BC Components
1: S/17.67
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBF30STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBF30STRLPBF

Vishay / BC Components

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET

Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/17.67

S/11.72

S/8.29

S/7.75

Envase tipo carrete

S/6.27

S/6.23

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

Reel, Cut Tape

IRFBF Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte