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OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 777

Filtros aplicados:

Nombre comercial = OptiMOS

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.36
14,785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5L100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5L100A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

14,785En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/3.04

S/2.07

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.19

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8-3

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5N102ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.55
4,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5N102ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5N102A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

4,677En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/3.10

S/2.08

S/1.64

Ver

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC45N04S6L063HATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.05
8,894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC45N04S6L063HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC45N04S6L063H

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

8,894En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.55

S/2.35

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

59 A

6.3 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/15.45
2,621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB039N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

2,621En existencias

Cinta cortada

S/15.45

S/10.12

S/7.47

S/6.62

Envase tipo carrete

S/5.61

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
4,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD050N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

4,978En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/2.58

S/2.02

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N06S2L35AATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.71
4,611En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L35AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L35AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

4,611En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.87

S/3.20

S/2.54

Ver

Envase tipo carrete

S/2.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

IPP111N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/15.10
992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP111N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP111N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

992En existencias

S/15.10

S/11.29

S/9.26

S/7.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

83 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TISON-8

BSC0911NDATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.07
6,245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0911NDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SP000934746

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TISON-8

Hoja de datos

6,245En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/4.67

S/4.28

S/3.43

Ver

Envase tipo carrete

S/2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

25 V

40 A

3.7 mOhms, 1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

3 nC, 8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.03
9,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0502NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

9,978En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.84

S/2.56

S/2.02

Ver

Envase tipo carrete

S/1.46

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NSI
Infineon Technologies
1: S/4.67
9,601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NSI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

9,601En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/2.18

S/1.65

S/1.42

S/1.25

Envase tipo carrete

S/1.02

MouseReel Disponible

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

BSC0923NDI
Infineon Technologies
1: S/6.31
4,603En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0923NDI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0923NDI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

Hoja de datos

4,603En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.67

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.54

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

3.8 mOhms, 2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC, 18.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC160N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
7,108En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC160N10NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC160N10NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

7,108En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/3.93

S/2.76

S/2.28

Ver

Envase tipo carrete

S/1.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

13.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0503NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.87
9,366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0503NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

9,366En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.07

S/2.03

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

82 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
6,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ065N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

6,017En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/1.71

S/1.25

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.884

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

49 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

IPC70N04S5L4R2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
9,720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPC70N04S5L4R2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC70N04S5L4R2AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

9,720En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.35

S/2.22

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

3.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-50
Infineon Technologies
1: S/6.66
2,982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L-50

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-50

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

2,982En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.24

S/2.83

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

51 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC009NE2LS
Infineon Technologies
1: S/8.10
5,001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

5,001En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/3.11

S/2.71

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

168 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042N03LS G
Infineon Technologies
1: S/5.49
6,853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC042N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042N03LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

6,853En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.45

S/2.29

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

93 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC076N06NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.12
3,577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC076N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC076N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,577En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.55

S/3.01

S/2.47

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

BSC084P03NS3 G
Infineon Technologies
1: S/6.03
9,318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC084P03NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC084P03NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

Hoja de datos

9,318En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.80

S/2.52

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

P-Channel

1 Channel

30 V

78.6 A

6.1 mOhms

- 25 V, 25 V

3.1 V

57.7 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

BSZ16DN25NS3 G
Infineon Technologies
1: S/10.00
4,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ16DN25NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ16DN25NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4,520En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/6.46

S/4.63

S/3.85

S/3.57

Envase tipo carrete

S/3.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

250 V

10.9 A

146 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11.4 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD050N03L G
Infineon Technologies
1: S/5.57
9,935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD050N03L G

N.º de artículo de Mouser
726-IPD050N03LG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

9,935En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.49

S/2.32

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
1: S/7.59
581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N04S4-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N04S4-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

581En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.36

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P

BSO201SP H
Infineon Technologies
1: S/9.07
3,645En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BSO201SP H

N.º de artículo de Mouser
726-BSO201SPH

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P

Hoja de datos

3,645En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.80

S/4.01

S/3.39

Envase tipo carrete

S/2.61

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

20 V

14.9 A

10.3 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV

66 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC0702LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.41
4,307En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC0702LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0702LSATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

Obtenga más información

Hoja de datos

4,307En existencias

Cinta cortada

S/8.41

S/5.41

S/3.66

S/2.91

Ver

Envase tipo carrete

S/2.27

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DirectFET-L8
DirectFET-SB
DPAK-3 (TO-252-3)
DSO-8
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-2
HSOF-5-5
HSOF-8
HSOG-8
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-1
PG-LHDSO-10-2
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8

4.7 A
5 A
7 A
7.7 A
7.8 A, 7.9 A
7.9 A
8.1 A, 8.4 A
8.8 A, 10.2 A
8.8 A, 9.6 A
9.3 A
9.6 A
10.9 A
11 A
11.3 A
13 A
14.9 A
15.2 A
17 A
18 A
18.5 A

290 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
540 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
600 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms
700 uOhms

700 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V

3 nC, 8.8 nC
3.6 nC
5 nC, 23 nC
5.5 nC
5.6 nC
5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.4 nC
6.6 nC, 30.6 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.5 nC
7.8 nC
7.9 nC
7.9 nC, 8.1 nC
8 nC
8.3 nC
8.7 nC

2 W
2.1 W
2.5 W
2.5 W, 6.25 W
25 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
31 W
32 W
33 W
33.8 W
34 W
35 W
36 W
37 W
37.5 W
38 W