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DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 112

Filtros aplicados:

Nombre comercial = DTMOSIV

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 49.2A 400W 650V

TK49N65W,S1F(S
Toshiba
1: S/45.15
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK49N65W,S1F(S

N.º de artículo de Mouser
757-TK49N65W,S1F(S

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 49.2A 400W 650V

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Hoja de datos

No en existencias

S/45.15

S/36.75

S/30.60

S/27.25

S/23.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

49.2 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

160 nC

+ 150 C

400 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK6A65W,S5X
Toshiba
1: S/8.56
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK6A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK6A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/8.56

S/4.16

S/3.73

S/2.98

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5.8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK6Q65W,S1Q
Toshiba
1: S/8.60
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK6Q65W,S1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TK6Q65WS1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/8.60

S/3.93

S/3.35

S/2.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5.8 A

890 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W

TK7E80W,S1X
Toshiba
1: S/17.01
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7E80W,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7E80WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/17.01

S/8.76

S/7.79

S/6.54

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

795 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode

TK7P60W5,RVQ
Toshiba
2,000: S/3.15
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7P60W5,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7P60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.15

S/3.12

Presupuesto

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

540 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC

TK8A60W,S4VX
Toshiba
1: S/12.73
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK8A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/12.73

S/6.42

S/5.80

S/4.79

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

420 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8A65W,S5X
Toshiba
1: S/9.50
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK8A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/9.50

S/4.67

S/4.20

S/3.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7.8 A

530 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC

TK8P60W,RVQ
Toshiba
2,000: S/4.83
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK8P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK8P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.83

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

420 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC

TK8Q60W,S1VQ
Toshiba
1: S/13.35
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK8Q60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK8Q60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/13.35

S/6.81

S/6.15

S/5.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

420 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8Q65W,S1Q
Toshiba
1: S/10.82
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK8Q65W,S1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TK8Q65WS1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/10.82

S/5.06

S/4.36

S/3.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7.8 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK9A65W,S5X
Toshiba
1: S/11.21
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK9A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK9A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/11.21

S/5.57

S/5.02

S/4.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9.3 A

430 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK9P65W,RQ
Toshiba
2,000: S/3.74
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK9P65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK9P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.74

S/3.65

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

9.3 A

460 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
27.6 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC
50 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
156 W
165 W
180 W
230 W
240 W
270 W
400 W