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OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 777

Filtros aplicados:

Nombre comercial = OptiMOS

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB031N08N5
Infineon Technologies
1: S/15.03
1,386En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB031N08N5

N.º de artículo de Mouser
726-IPB031N08N5

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

Hoja de datos

1,386En existencias

Cinta cortada

S/15.03

S/9.85

S/7.24

S/6.46

Envase tipo carrete

S/5.45

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD122N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.85
20,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD122N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD122N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

20,650En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/3.75

S/2.84

S/2.47

S/2.34

Envase tipo carrete

S/2.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

59 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-08
Infineon Technologies
1: S/8.29
9,352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-08

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

9,352En existencias

Cinta cortada

S/8.29

S/5.29

S/3.59

S/2.86

Ver

Envase tipo carrete

S/2.22

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-11
Infineon Technologies
1: S/6.31
11,952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-11

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-11

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

11,952En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/3.62

S/2.61

S/2.09

Ver

Envase tipo carrete

S/1.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

11.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-35
Infineon Technologies
1: S/7.51
4,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L-35

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-35

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

4,279En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.32

S/3.08

S/2.57

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.63
14,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE006NE2LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5ATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

14,065En existencias

Cinta cortada

S/10.63

S/6.85

S/4.71

S/3.25

Envase tipo carrete

S/3.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8-4

N-Channel

1 Channel

25 V

298 A

650 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

28.5 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

BSC052N03LS
Infineon Technologies
1: S/3.35
9,404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

9,404En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/1.97

S/1.45

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

57 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ097N04LS G
Infineon Technologies
1: S/4.55
181,869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ097N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

181,869En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.86

S/1.88

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

14.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8

BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
18,951En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ150N10LS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ150N10LS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8

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Hoja de datos

18,951En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/4.09

S/2.99

S/2.52

Ver

Envase tipo carrete

S/2.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.01
1,205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

1,205En existencias

Cinta cortada

S/17.01

S/11.33

S/8.02

S/7.47

S/6.62

Envase tipo carrete

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 36mOhms

AUIRF7640S2TR
Infineon Technologies
1: S/8.84
4,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AUIRF7640S2TR

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRF7640S2TR

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 36mOhms

Hoja de datos

4,790En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/5.10

S/3.57

S/2.77

Ver

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,800

SMD/SMT

DirectFET-SB

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC018N04LS G
Infineon Technologies
1: S/7.28
9,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC018N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

9,900En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/3.48

S/2.57

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1: S/6.27
5,150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

5,150En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.65

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.59

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ099N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.10
26,564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ099N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ099N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

26,564En existencias

Cinta cortada

S/5.10

S/3.10

S/2.18

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

IPP041N12N3 G
Infineon Technologies
1: S/20.44
1,106En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP041N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP041N12N3GXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,106En existencias

S/20.44

S/13.58

S/11.21

S/9.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC118N10NS G
Infineon Technologies
1: S/7.75
4,333En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC118N10NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC118N10NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

Obtenga más información

Hoja de datos

4,333En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.52

S/3.26

S/2.64

Ver

Envase tipo carrete

S/2.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

11.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
1: S/23.00
1,973En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB020NE7N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020NE7N3GXT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,973En existencias

Cinta cortada

S/23.00

S/16.43

S/11.87

S/11.83

Envase tipo carrete

S/9.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD25CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
15,553En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD25CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD25CN10NGATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

15,553En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/3.97

S/2.85

S/2.27

Envase tipo carrete

S/1.75

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPG20N06S4L14AATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.49
5,875En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L14AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N06S4L14AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Hoja de datos

5,875En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.88

S/3.05

S/2.68

Ver

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

13.7 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LS
Infineon Technologies
1: S/9.42
27,480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

27,480En existencias

Cinta cortada

S/9.42

S/6.03

S/4.09

S/3.43

Ver

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1: S/6.31
6,489En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

6,489En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/3.97

S/2.66

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.54

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

153 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.22
10,335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ021N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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10,335En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/4.24

S/3.67

S/3.36

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Envase tipo carrete

S/2.45

MouseReel Disponible

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ050N03MS G
Infineon Technologies
1: S/3.78
7,158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ050N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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7,158En existencias

Cinta cortada

S/3.78

S/2.35

S/1.53

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.767

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
10,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ084N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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10,772En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.97

S/3.14

S/2.71

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Envase tipo carrete

S/2.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N20NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.86
16,837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N20NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N20NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3

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16,837En existencias

Cinta cortada

S/7.86

S/5.02

S/3.47

S/2.94

Envase tipo carrete

S/2.18

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

15.2 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DirectFET-L8
DirectFET-SB
DPAK-3 (TO-252-3)
DSO-8
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-2
HSOF-5-5
HSOF-8
HSOG-8
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-1
PG-LHDSO-10-2
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8

4.7 A
5 A
7 A
7.7 A
7.8 A, 7.9 A
7.9 A
8.1 A, 8.4 A
8.8 A, 10.2 A
8.8 A, 9.6 A
9.3 A
9.6 A
10.9 A
11 A
11.3 A
13 A
14.9 A
15.2 A
17 A
18 A
18.5 A

290 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
540 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
600 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms
700 uOhms

700 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V

3 nC, 8.8 nC
3.6 nC
5 nC, 23 nC
5.5 nC
5.6 nC
5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.4 nC
6.6 nC, 30.6 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.5 nC
7.8 nC
7.9 nC
7.9 nC, 8.1 nC
8 nC
8.3 nC
8.7 nC

2 W
2.1 W
2.5 W
2.5 W, 6.25 W
25 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
31 W
32 W
33 W
33.8 W
34 W
35 W
36 W
37 W
37.5 W
38 W