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OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 777

Filtros aplicados:

Nombre comercial = OptiMOS

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

BSC036NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: S/12.57
10,953En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC036NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

Hoja de datos

10,953En existencias

Cinta cortada

S/12.57

S/8.17

S/5.99

S/5.02

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.89

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

159 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

63.4 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
11,215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC061N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC061N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

11,215En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/5.53

S/4.16

S/3.49

Ver

Envase tipo carrete

S/2.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

82 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB036N12N3 G
Infineon Technologies
1: S/24.52
1,370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB036N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB036N12N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,370En existencias

Cinta cortada

S/24.52

S/18.80

S/15.22

S/13.51

Envase tipo carrete

S/11.56

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

120 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
53,900En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSGATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

53,900En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/3.02

S/1.99

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

BSC0924NDI
Infineon Technologies
1: S/6.03
4,168En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0924NDI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0924NDI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

Hoja de datos

4,168En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/2.81

S/1.79

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.43

S/1.35

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

3.8 mOhms, 2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC, 12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.14
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB011N04LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

2,000En existencias

Cinta cortada

S/15.14

S/9.96

S/7.01

S/6.23

Envase tipo carrete

S/5.14

S/5.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

346 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB016N06L3 G
Infineon Technologies
1: S/18.84
1,779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB016N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,779En existencias

Cinta cortada

S/18.84

S/12.46

S/9.77

S/8.68

Envase tipo carrete

S/7.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/7.24
4,077En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB090N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB090N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,077En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.63

S/3.08

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/14.21
9,397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

9,397En existencias

Cinta cortada

S/14.21

S/9.30

S/6.50

S/5.72

Envase tipo carrete

S/4.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2

IPD135N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/1.87
19,543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD135N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD135N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2

Hoja de datos

19,543En existencias

Cinta cortada

S/1.87

S/1.35

S/1.28

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.724

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

6.4 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
1: S/9.73
18,036En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L-21

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L-21

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

18,036En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.23

S/4.24

S/3.53

Envase tipo carrete

S/2.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

20.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
1: S/4.79
16,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-08

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

16,369En existencias

Cinta cortada

S/4.79

S/2.99

S/1.97

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22.4 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD50N06S409ATMA2
Infineon Technologies
1: S/6.54
Plazo de entrega 9 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N06S409ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S409ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega 9 Semanas

Cinta cortada

S/6.54

S/4.16

S/2.77

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N06S404ATMA2
Infineon Technologies
1: S/10.28
2,248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N06S404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N06S404ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

2,248En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.62

S/4.59

S/3.69

Ver

Envase tipo carrete

S/3.01

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.75
5,502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N06N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

5,502En existencias

Cinta cortada

S/17.75

S/11.76

S/8.33

S/7.71

Envase tipo carrete

S/6.27

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

275 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1: S/15.84
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-H0

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

976En existencias

Cinta cortada

S/15.84

S/10.39

S/7.82

S/6.93

Envase tipo carrete

S/5.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

225 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD50N06S4L08ATMA2
Infineon Technologies
1: S/6.58
9,706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N06S4L08ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S4L08ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

9,706En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.20

S/2.80

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

7.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1: S/4.90
123,590En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

123,590En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.06

S/2.01

S/1.60

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.87
6,638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC026N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

6,638En existencias

Cinta cortada

S/14.87

S/9.77

S/6.93

S/6.19

Ver

Envase tipo carrete

S/5.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04L G
Infineon Technologies
1: S/15.34
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB011N04L G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,774En existencias

Cinta cortada

S/15.34

S/10.04

S/7.40

S/6.62

Envase tipo carrete

S/5.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

346 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/19.31
5,063En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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S/19.31

S/14.13

S/11.44

S/10.16

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S/8.64

Presupuesto

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.83
7,506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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Cinta cortada

S/11.83

S/7.71

S/5.33

S/4.48

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Envase tipo carrete

S/3.63

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD70N03S4L-04
Infineon Technologies
1: S/5.99
9,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N03S4L-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N03S4L-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

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9,440En existencias

Cinta cortada

S/5.99

S/3.76

S/2.50

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.62

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

70 A

3.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
1: S/6.27
4,444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4L-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4L-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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4,444En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.93

S/2.61

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.70

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD100N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/8.06
5,664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD100N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

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5,664En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.06

S/4.05

S/3.37

Envase tipo carrete

S/2.72

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DirectFET-L8
DirectFET-SB
DPAK-3 (TO-252-3)
DSO-8
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-2
HSOF-5-5
HSOF-8
HSOG-8
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-1
PG-LHDSO-10-2
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8

4.7 A
5 A
7 A
7.7 A
7.8 A, 7.9 A
7.9 A
8.1 A, 8.4 A
8.8 A, 10.2 A
8.8 A, 9.6 A
9.3 A
9.6 A
10.9 A
11 A
11.3 A
13 A
14.9 A
15.2 A
17 A
18 A
18.5 A

290 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
540 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
600 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms
700 uOhms

700 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V

3 nC, 8.8 nC
3.6 nC
5 nC, 23 nC
5.5 nC
5.6 nC
5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.4 nC
6.6 nC, 30.6 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.5 nC
7.8 nC
7.9 nC
7.9 nC, 8.1 nC
8 nC
8.3 nC
8.7 nC

2 W
2.1 W
2.5 W
2.5 W, 6.25 W
25 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
31 W
32 W
33 W
33.8 W
34 W
35 W
36 W
37 W
37.5 W
38 W