Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 47

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.98
796En existencias

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IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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796En existencias

S/39.98

S/23.08

S/22.07

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

63 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.94
712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

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712En existencias

S/20.94

S/12.26

S/12.22

S/10.28

S/9.81

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.35
718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125CFD7XKSA1

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726-IPA60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

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718En existencias

S/16.35

S/8.41

S/7.63

S/6.66

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280CFD7XKSA1

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726-IPA60R280CFD7XKS

Infineon Technologies

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348En existencias

S/10.82

S/5.37

S/4.87

S/3.89

S/3.83

Min.: 1
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TO-220-3

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1 Channel

600 V

6 A

237 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

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+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.40
25En existencias
500Se espera el 11/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R145CFD7XKSA1

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726-IPP60R145CFD7XKS

Infineon Technologies

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25En existencias

500Se espera el 11/02/2027

S/14.40

S/7.32

S/6.66

S/5.64

Min.: 1
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16 A

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3.5 V

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+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R280CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280CFD7XKS

Infineon Technologies

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712En existencias

S/10.82

S/5.37

S/4.87

S/3.89

S/3.83

Min.: 1
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600 V

9 A

237 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

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+ 150 C

52 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.65
151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R060CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R060CFD7SA1

Infineon Technologies

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151En existencias

S/25.65

S/13.74

S/12.81

S/12.26

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R090CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.41
717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R090CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R090CFD7XTM

Infineon Technologies

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717En existencias

Cinta cortada

S/18.41

S/12.22

S/9.58

S/8.45

S/8.14

Envase tipo carrete

S/7.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

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Hoja de datos

268En existencias

S/18.45

S/10.32

S/8.52

S/7.90

Min.: 1
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1 Channel

600 V

18 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.72
274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R041CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R041CFD7XKS

Infineon Technologies

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274En existencias

S/34.72

S/20.40

S/18.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

68.5 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R115CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R115CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R115CFD7AUM

Infineon Technologies

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420En existencias

Cinta cortada

S/17.24

S/11.37

S/8.06

S/7.43

Envase tipo carrete

S/6.93

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 40 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.72
316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R041CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R041CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

316En existencias

S/31.72

S/17.28

S/16.97

S/15.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/45.97
136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R029CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

136En existencias

S/45.97

S/27.68

S/26.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.87
73En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R145CFD7ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

73En existencias

Cinta cortada

S/14.87

S/9.77

S/6.85

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.17
15En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R145CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R145CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

15En existencias

S/17.17

S/11.44

S/7.86

S/7.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R035CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/36.55
4,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R035CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R035CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

4,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/36.55

S/25.07

S/20.20

S/18.84

Envase tipo carrete

S/18.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

67 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

351 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
977Se espera el 30/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R105CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R105CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

977Se espera el 30/03/2026

Cinta cortada

S/18.45

S/12.22

S/8.68

S/8.14

Envase tipo carrete

S/7.59

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.05
2,990Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R160CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,990Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/14.05

S/9.19

S/6.42

S/5.64

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.91
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/11.91

S/5.96

S/5.37

S/4.48

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
500: S/7.59
Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R105CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R105CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas

S/7.59

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.75
Plazo de entrega 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R170CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega 8 Semanas

S/14.75

S/8.14

S/6.66

S/5.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/15.61
Plazo de entrega 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R125CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega 19 Semanas

Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

S/6.15

Envase tipo carrete

S/6.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
8 A
9 A
11 A
14 A
16 A
18 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
31 A
33 A
36 A
38 A
40 A
44 A
50 A
52 A

18 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms
125 mOhms
144 mOhms

24 W
26 W
32 W
52 W
75 W
76 W
83 W
85 W
92 W
95 W
106 W
124 W
125 W
127 W
140 W
147 W
156 W
160 W
171 W
178 W