Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Littelfuse IXTA1N170DHV-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1700V 1A N-CH HIVOLT
700Se espera el 10/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263HV-2 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Reel, Cut Tape
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
Littelfuse IXFA14N85XHV-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263HV-2 N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement Reel
Littelfuse IXFA56N30X3-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-2 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Reel
Littelfuse IXFA60N25X3-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-2 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Reel
Littelfuse IXFY36N20X3-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-252D Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

SMD/SMT TO-252-2 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement Reel
Littelfuse IXTA86N20X4-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si Reel
Littelfuse IXTA90N20X3-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-2 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 175 C 390 W Enhancement Reel
Littelfuse IXTA94N20X4-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-2 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Reel
Littelfuse IXTH05N250P3HV
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DISCRETE TO-247HV Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Tube
Littelfuse IXTH1R4N250P3
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 1.4A 2500V P3 TO247 Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Littelfuse IXTH38N30L2
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Tube
Littelfuse IXTT10N100D2-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTT10N100D2-TRL Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400
Carrete: 400

SMD/SMT TO-268-2 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Reel
Littelfuse IXTY14N60X2-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 14A 600V X2 TO252 Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

SMD/SMT TO-252-2 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel
Littelfuse IXTY15P15T-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT PChan-Trench Gate TO-252D Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

SMD/SMT TO-252-2 P-Channel 1 Channel 150 V 15 A 240 mOhms - 15 V, 15 V 4.5 V 48 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel
Littelfuse IXFT100N30X3HV-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-268AA Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400
Carrete: 400

SMD/SMT TO-268HV-2 N-Channel 1 Channel 300 V 100 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement Reel
Littelfuse IXFT150N30X3HV-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-268AA Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400
Carrete: 400

SMD/SMT TO-268HV-2 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 177 nC - 50 C + 150 C 890 W Enhancement Reel