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Infineon OptiMOS-T2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 39

Filtros aplicados:

Fabricante = Infineon Serie = OptiMOS-T2

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
1: S/4.79
16,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-08

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

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16,369En existencias

Cinta cortada

S/4.79

S/2.99

S/1.97

S/1.56

S/1.39

Envase tipo carrete

S/1.21

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1: S/15.84
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-H0

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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976En existencias

Cinta cortada

S/15.84

S/10.39

S/7.82

S/6.93

Envase tipo carrete

S/6.11

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

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250 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4-03
Infineon Technologies
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5,487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4-03

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4-03

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/7.51

S/4.75

S/3.17

S/2.60

Envase tipo carrete

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Ver

MouseReel Disponible

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
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4,344En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4L-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4L-04

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/6.27

S/3.93

S/2.61

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

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1.2 V

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71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
1: S/7.59
581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N04S4-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N04S4-06

Infineon Technologies

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S/7.59

S/4.87

S/3.36

S/2.85

Envase tipo carrete

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S/2.26

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-00
Infineon Technologies
1: S/18.33
991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-00

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-00

Infineon Technologies

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S/18.33

S/12.11

S/9.50

S/8.45

Envase tipo carrete

S/7.47

MouseReel Disponible

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180 A

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300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD30N03S4L-09
Infineon Technologies
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3,523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N03S4L-09

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N03S4L09

Infineon Technologies

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S/3.62

S/2.14

S/1.47

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S/1.14

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30 A

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB120N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/14.01
737En existencias

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IPB120N04S4-01

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726-IPB120N04S4-01

Infineon Technologies

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S/14.01

S/9.15

S/6.42

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB90N04S4-02
Infineon Technologies
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971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB90N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90N04S4-02

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/11.95

S/7.79

S/5.37

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

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1 Channel

40 V

90 A

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/12.61
873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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873En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.21

S/6.31

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.58 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4-05
Infineon Technologies
1: S/5.64
1,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4-05

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

S/5.64

S/3.55

S/2.36

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.54

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

86 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
3,969En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L08ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L08ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

S/7.40

S/4.75

S/3.18

S/2.52

Ver

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.2 mOhms, 7.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/14.21
9,396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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9,396En existencias

Cinta cortada

S/14.21

S/9.30

S/6.50

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD100N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/9.58
5,324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD100N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

5,324En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/5.84

S/4.20

S/3.37

S/3.30

Envase tipo carrete

S/3.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
1: S/4.24
8,752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N03S4L-14

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N03S4L-14

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

8,752En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.66

S/1.74

S/1.35

S/1.22

Envase tipo carrete

S/1.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

13.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4-10
Infineon Technologies
1: S/4.63
5,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4-10

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-10

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

5,180En existencias

Cinta cortada

S/4.63

S/2.88

S/1.90

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.2 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD70N03S4L-04
Infineon Technologies
1: S/5.99
9,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N03S4L-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N03S4L-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

9,364En existencias

Cinta cortada

S/5.99

S/3.76

S/2.50

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

70 A

3.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4-04
Infineon Technologies
1: S/6.03
3,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

3,485En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.80

S/2.53

S/1.99

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-08
Infineon Technologies
1: S/8.29
9,352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-08

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

9,352En existencias

Cinta cortada

S/8.29

S/5.29

S/3.59

S/2.86

Ver

Envase tipo carrete

S/2.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1: S/6.31
9,144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-12

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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20 A

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- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

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AEC-Q100

OptiMOS

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TDSON-8

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40 V

20 A

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- 16 V, 16 V

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39 nC

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54 W

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100 A

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- 20 V, 20 V

2 V

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IPB160N04S4-H1

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726-IPB160N04S4-H1

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TO-263-7

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1 Channel

40 V

160 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

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IPB80N04S4-03
Infineon Technologies
1: S/9.73
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IPB80N04S4-03

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4-03

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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40 V

80 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

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AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB80N04S4-04
Infineon Technologies
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IPB80N04S4-04

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

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AEC-Q100

OptiMOS

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Infineon OptiMOS-T2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

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800 uOhms
900 uOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.58 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.88 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.4 mOhms
2.7 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.6 mOhms
4.1 mOhms
4.2 mOhms
4.3 mOhms
5.3 mOhms

14 nC
18 nC
18.2 nC
20 nC
22.4 nC
26 nC
30 nC
31 nC
32 nC
33 nC
36 nC
37 nC
39 nC
48 nC
50 nC
51 nC
60 nC
66 nC
90 nC
91 nC