Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ018N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
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S/5.80
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N.º de artículo de Mouser 726-BSZ018N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
36,307 En existencias
1
S/5.80
10
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Ver
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1,000
S/3.03
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S/2.81
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S/2.79
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
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40 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
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- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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BSZ021N04LS6ATMA1
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10,335 En existencias
1
S/5.22
10
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Ver
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S/2.81
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S/2.45
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Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
88,483 En existencias
1
S/2.84
10
S/2.30
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S/1.85
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S/1.70
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25,000
S/1.56
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
9.5 nC
- 55 C
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38 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ024N04LS6ATMA1
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257 En existencias
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1
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10
S/3.51
100
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S/2.82
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S/2.07
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S/2.07
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Perú