.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 1,354

Filtros aplicados:

Marca = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP20N90K5
STMicroelectronics
1: S/20.44
1,644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP20N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,644En existencias

S/20.44

S/14.09

S/13.51

S/12.96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

20 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STP21N90K5
STMicroelectronics
1: S/28.38
1,395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

1,395En existencias

S/28.38

S/15.45

S/14.17

S/11.99

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

STP270N8F7
STMicroelectronics
1: S/20.51
839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP270N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP270N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

Obtenga más información

Hoja de datos

839En existencias

S/20.51

S/11.25

S/9.96

S/9.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp

STP55NF06
STMicroelectronics
1: S/7.16
5,091En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP55NF06

N.º de artículo de Mouser
511-STP55NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

5,091En existencias

S/7.16

S/2.77

S/2.44

S/2.31

S/2.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.5 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 800V 13 Ohm 1A

STQ1NK80ZR-AP
STMicroelectronics
1: S/4.94
5,207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STQ1NK80ZR-AP

N.º de artículo de Mouser
511-STQ1NK80ZR-AP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 800V 13 Ohm 1A

Obtenga más información

Hoja de datos

5,207En existencias

S/4.94

S/3.09

S/2.04

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

800 V

300 mA

16 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STW45N65M5
STMicroelectronics
1: S/26.08
350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

350En existencias

S/26.08

S/19.66

S/15.38

S/15.34

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

STW65N60DM6
STMicroelectronics
1: S/26.94
508En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

508En existencias

S/26.94

S/18.84

S/15.18

S/13.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

71 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l

STWA40N95DK5
STMicroelectronics
1: S/59.98
600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA40N95DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STWA40N95DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l

Obtenga más información

Hoja de datos

600En existencias

S/59.98

S/36.82

S/31.49

S/31.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

38 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)

STWA88N65M5
STMicroelectronics
1: S/51.03
316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA88N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STWA88N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)

Obtenga más información

Hoja de datos

316En existencias

S/51.03

S/31.53

S/31.49

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

84 A

24 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

240 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

STB100N10F7
STMicroelectronics
1: S/11.91
1,530En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,530En existencias

Cinta cortada

S/11.91

S/7.75

S/5.33

S/4.48

Envase tipo carrete

S/3.80

S/3.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB10N95K5
STMicroelectronics
1: S/16.23
4,628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

4,628En existencias

Cinta cortada

S/16.23

S/10.70

S/7.55

S/6.85

Envase tipo carrete

S/5.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

8 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

STB11NK50ZT4
STMicroelectronics
1: S/16.35
1,426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NK50ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,426En existencias

Cinta cortada

S/16.35

S/10.78

S/7.59

S/6.97

Envase tipo carrete

S/5.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

10 A

480 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

STB12NM50T4
STMicroelectronics
1: S/19.46
2,446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB12NM50T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB12NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

2,446En existencias

Cinta cortada

S/19.46

S/14.13

S/10.47

S/9.89

Envase tipo carrete

S/8.21

S/7.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

28 nC

- 65 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II

STB32NM50N
STMicroelectronics
1: S/19.77
1,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB32NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB32NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

1,997En existencias

Cinta cortada

S/19.77

S/13.16

S/9.38

S/8.91

Envase tipo carrete

S/7.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N60DM2
STMicroelectronics
1: S/20.47
912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

912En existencias

Cinta cortada

S/20.47

S/13.62

S/9.77

S/9.34

Envase tipo carrete

S/7.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB40N60M2
STMicroelectronics
1: S/22.89
2,361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

2,361En existencias

Cinta cortada

S/22.89

S/15.38

S/11.05

S/10.90

Envase tipo carrete

S/8.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

88 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa

STB42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/22.85
1,260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STB42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa

Obtenga más información

Hoja de datos

1,260En existencias

Cinta cortada

S/22.85

S/17.09

S/12.49

S/12.46

Envase tipo carrete

S/10.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

87 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET

STD10NF30
STMicroelectronics
1: S/7.82
3,623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10NF30

N.º de artículo de Mouser
511-STD10NF30

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET

Hoja de datos

3,623En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.37

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

10 A

330 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

103 W

Enhancement

AEC-Q101

MESH OVERLAY

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A

STD10NM60N
STMicroelectronics
1: S/14.64
3,767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A

Hoja de datos

3,767En existencias

Cinta cortada

S/14.64

S/9.61

S/6.73

S/5.96

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

550 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp

STD12NF06T4
STMicroelectronics
1: S/6.89
3,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD12NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

3,560En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/4.40

S/2.89

S/2.32

Envase tipo carrete

S/1.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package

STD130N6F7
STMicroelectronics
1: S/4.55
4,189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD130N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package

Hoja de datos

4,189En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/3.93

S/3.06

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package

STD36P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/6.73
4,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD36P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STD36P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package

Hoja de datos

4,374En existencias

Cinta cortada

S/6.73

S/4.28

S/2.86

S/2.25

Envase tipo carrete

S/1.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

36 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

STD4NK80Z-1
STMicroelectronics
1: S/10.43
3,438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4NK80Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK80Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

Obtenga más información

Hoja de datos

3,438En existencias

S/10.43

S/4.83

S/4.36

S/3.78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

22.5 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

STF100N10F7
STMicroelectronics
1: S/10.16
2,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STF100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

Obtenga más información

Hoja de datos

2,010En existencias

S/10.16

S/5.80

S/4.71

S/3.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II

STF13NM60ND
STMicroelectronics
1: S/20.09
733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF13NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

733En existencias

S/20.09

S/10.47

S/9.58

S/7.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

380 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W