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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,354

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Marca = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: S/29.08
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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1,000En existencias

Cinta cortada

S/29.08

S/19.81

S/15.03

Envase tipo carrete

S/12.69

S/12.07

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

STD10P6F6
STMicroelectronics
1: S/5.41
12,297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10P6F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD10P6F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

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Hoja de datos

12,297En existencias

Cinta cortada

S/5.41

S/3.36

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.40

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

10 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.4 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STD18N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.58
1,377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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1,377En existencias

Cinta cortada

S/13.58

S/8.87

S/6.19

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

198 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

STD3NK80Z-1
STMicroelectronics
1: S/10.32
3,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NK80Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK80Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

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3,422En existencias

S/10.32

S/4.32

S/4.05

S/3.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

STD4NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/8.64
2,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

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2,390En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/5.57

S/3.76

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STD5N95K5
STMicroelectronics
1: S/9.34
4,380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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4,380En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/5.99

S/4.13

S/3.28

Envase tipo carrete

S/2.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

3.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package

STF10N105K5
STMicroelectronics
1: S/13.97
1,090En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N105K5

STMicroelectronics

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1,090En existencias

S/13.97

S/5.96

S/5.64

S/5.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

6 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR

STF23NM50N
STMicroelectronics
1: S/19.46
930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR

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930En existencias

S/19.46

S/11.13

S/10.59

S/9.54

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

STH310N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/23.04
1,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

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1,254En existencias

Cinta cortada

S/23.04

S/17.09

S/12.46

Envase tipo carrete

S/10.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL13N60DM2
STMicroelectronics
1: S/10.82
3,233En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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3,233En existencias

Cinta cortada

S/10.82

S/6.97

S/4.83

S/3.97

S/3.59

Envase tipo carrete

S/3.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

STL47N60M6
STMicroelectronics
1: S/24.56
1,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL47N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL47N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

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Hoja de datos

1,983En existencias

Cinta cortada

S/24.56

S/16.50

S/11.95

S/11.91

Envase tipo carrete

S/9.73

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V

STL70N4LLF5
STMicroelectronics
1: S/7.51
4,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL70N4LLF5

N.º de artículo de Mouser
511-STL70N4LLF5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V

Hoja de datos

4,461En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.25

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

18 A

6.1 mOhms

- 22 V, 22 V

1 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

72 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL7N10F7
STMicroelectronics
1: S/5.92
4,033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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Hoja de datos

4,033En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/3.74

S/2.49

S/1.95

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

7 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

STP12NK80Z
STMicroelectronics
1: S/15.61
1,269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,269En existencias

S/15.61

S/8.06

S/7.36

S/6.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10.5 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

STP140N6F7
STMicroelectronics
1: S/10.55
6,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP140N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP140N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

6,637En existencias

S/10.55

S/4.55

S/4.24

S/3.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

STP18N55M5
STMicroelectronics
1: S/14.25
2,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

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Hoja de datos

2,190En existencias

S/14.25

S/6.50

S/6.07

S/5.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

550 V

13 A

240 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

STP25N80K5
STMicroelectronics
1: S/19.77
728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

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Hoja de datos

728En existencias

S/19.77

S/10.82

S/10.08

S/8.49

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

19.5 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

STP28NM60ND
STMicroelectronics
1: S/23.24
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP28NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP28NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

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Hoja de datos

990En existencias

S/23.24

S/12.38

S/11.64

S/10.70

S/9.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

23 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp

STP80NF03L-04
STMicroelectronics
1: S/17.40
3,174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF03L-04

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF03L-04

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp

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Hoja de datos

3,174En existencias

S/17.40

S/11.60

S/7.40

S/6.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

110 nC

- 65 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5

STP8NK100Z
STMicroelectronics
1: S/16.82
809En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP8NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5

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Hoja de datos

809En existencias

S/16.82

S/11.64

S/11.05

S/9.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6.5 A

1.85 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH

STP9NK90Z
STMicroelectronics
1: S/11.76
1,897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,897En existencias

S/11.76

S/7.82

S/7.71

S/7.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package

STS5P3LLH6
STMicroelectronics
1: S/3.81
7,949En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS5P3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STS5P3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package

Hoja de datos

7,949En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.52

S/1.65

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

5 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

STU2N105K5
STMicroelectronics
1: S/8.29
5,873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU2N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU2N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

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Hoja de datos

5,873En existencias

S/8.29

S/3.80

S/3.43

S/2.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

1.5 A

8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH

STW13NK100Z
STMicroelectronics
1: S/47.22
717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW13NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW13NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

717En existencias

S/47.22

S/28.14

S/23.36

S/23.32

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

13 A

700 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

350 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW18N60DM2
STMicroelectronics
1: S/14.44
1,460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW18N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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Hoja de datos

1,460En existencias

S/14.44

S/7.90

S/5.41

S/5.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

260 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W