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Microchip / Microsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 26

Filtros aplicados:

Marca = Microchip / Microsemi

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 100V U3

JANSR2N7587U3
Microchip / Microsemi
1: S/3,198.82
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
JANSR2N7587U3

N.º de artículo de Mouser
579-JANSR2N7587U3

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 100V U3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas

S/3,198.82

S/3,081.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SMD-0.5-3

N-Channel

1 Channel

100 V

22 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 100V U3

JANSF2N7587U3
Microchip / Microsemi
100: S/3,187.96
No en existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
JANSF2N7587U3

N.º de artículo de Mouser
579-JANSF2N7587U3

Nuevo producto

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 100V U3

Hoja de datos

No en existencias

S/3,187.96

Min.: 100
Mult.: 1

SMD/SMT

SMD-3

N-Channel

1 Channel

100 V

22 A

42 mOhms

20 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 200V SMD 2.0

JANSR2N7583U2
Microchip / Microsemi
100: S/3,288.03
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
JANSR2N7583U2

N.º de artículo de Mouser
579-JANSR2N7583U2

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 200V SMD 2.0

Hoja de datos

No en existencias

S/3,288.03

Ver

Min.: 100
Mult.: 1

SMD/SMT

SMD-2-3

N-Channel

1 Channel

200 V

56 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

240 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 250V U2

JANSR2N7585U2
Microchip / Microsemi
100: S/3,199.48
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
JANSR2N7585U2

N.º de artículo de Mouser
579-JANSR2N7585U2

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 250V U2

Hoja de datos

No en existencias

S/3,199.48

Ver

Min.: 100
Mult.: 1

SMD/SMT

SMD-2-3

N-Channel

1 Channel

250 V

50 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

220 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 250V TO-254AA

JANSR2N7586T1
Microchip / Microsemi
100: S/3,199.48
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
JANSR2N7586T1

N.º de artículo de Mouser
579-JANSR2N7586T1

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 250V TO-254AA

Hoja de datos

No en existencias

S/3,199.48

Ver

Min.: 100
Mult.: 1

Through Hole

TO-254AA-3

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

220 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 150V U3

JANSR2N7589U3
Microchip / Microsemi
1: S/3,198.82
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
JANSR2N7589U3

N.º de artículo de Mouser
579-JANSR2N7589U3

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 150V U3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

S/3,198.82

S/3,081.46

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SMD-0.5-3

N-Channel

1 Channel

150 V

19 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT THT

Jan2N6989
Microchip / Microsemi
100: S/159.13
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
Jan2N6989

N.º de artículo de Mouser
494-JAN2N6989

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT THT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/159.13

S/157.41

Ver

Min.: 100
Mult.: 1

Through Hole

TO-116-14

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 400mW NPN Quad - Small-Signal BJT SMT

Jan2N6990
Microchip / Microsemi
100: S/159.28
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
Jan2N6990

N.º de artículo de Mouser
494-JAN2N6990

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 400mW NPN Quad - Small-Signal BJT SMT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/159.28

Min.: 100
Mult.: 1

SMD/SMT

FlatPack-14

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V PNP Power BJT THT

JANTX2N6648
Microchip / Microsemi
100: S/474.26
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
JANTX2N6648

N.º de artículo de Mouser
494-JANTX2N6648

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V PNP Power BJT THT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

S/474.26

Min.: 100
Mult.: 1

Through Hole

TO-204AA-2

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V PNP Power BJT THT

JANTX2N6649
Microchip / Microsemi
100: S/474.26
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
JANTX2N6649

N.º de artículo de Mouser
494-JANTX2N6649

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V PNP Power BJT THT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

S/474.26

Min.: 100
Mult.: 1

Through Hole

TO-204AA-2

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V PNP Power BJT THT

JANTXV2N6650
Microchip / Microsemi
100: S/541.80
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
JANTXV2N6650

N.º de artículo de Mouser
494-JANTXV2N6650

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V PNP Power BJT THT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

S/541.80

Min.: 100
Mult.: 1

Through Hole

TO-204AA-2

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT THT

Jantxv2N6989
Microchip / Microsemi
100: S/196.03
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
Jantxv2N6989

N.º de artículo de Mouser
494-JANTXV2N6989

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT THT

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/196.03

Min.: 100
Mult.: 1

Through Hole

TO-116-14

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT SQ SMT

Jantxv2N6989U
Microchip / Microsemi
100: S/324.79
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
Jantxv2N6989U

N.º de artículo de Mouser
494-JANTXV2N6989U

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT SQ SMT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/324.79

Ver

Min.: 100
Mult.: 1

SMD/SMT

LCC-20

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 250V U3

JANSR2N7593U3
Microchip / Microsemi
1: S/3,199.32
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
JANSR2N7593U3

N.º de artículo de Mouser
579-JANSR2N7593U3

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH MOSFET 250V U3

Hoja de datos

No en existencias

S/3,199.32

S/3,081.96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

U3-3

N-Channel

1 Channel

250 V

12.4 A

210 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V PNP Power BJT THT

JAN2N6648
Microchip / Microsemi
100: S/426.73
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
JAN2N6648

N.º de artículo de Mouser
494-JAN2N6648

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V PNP Power BJT THT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

S/426.73

Min.: 100
Mult.: 1

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V PNP Power BJT THT

JAN2N6649
Microchip / Microsemi
100: S/426.73
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
JAN2N6649

N.º de artículo de Mouser
494-JAN2N6649

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V PNP Power BJT THT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

S/426.73

Min.: 100
Mult.: 1

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V PNP Power BJT THT

JAN2N6650
Microchip / Microsemi
100: S/1,700.24
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
JAN2N6650

N.º de artículo de Mouser
494-JAN2N6650

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V PNP Power BJT THT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

S/1,700.24

Min.: 100
Mult.: 1

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 600mA 1.5W PNP Quad - Small-Signal BJT THT

Jan2N6987
Microchip / Microsemi
100: S/181.86
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
Jan2N6987

N.º de artículo de Mouser
494-JAN2N6987

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 600mA 1.5W PNP Quad - Small-Signal BJT THT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/181.86

S/179.76

Ver

Min.: 100
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 600mA 1.5W PNP Quad - Small-Signal BJT SQ SMT

Jan2N6987U
Microchip / Microsemi
100: S/219.46
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
Jan2N6987U

N.º de artículo de Mouser
494-JAN2N6987U

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 600mA 1.5W PNP Quad - Small-Signal BJT SQ SMT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/219.46

Min.: 100
Mult.: 1

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 600mA 400mW PNP Quad - Small-Signal BJT SMT

Jan2N6988
Microchip / Microsemi
100: S/159.28
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
Jan2N6988

N.º de artículo de Mouser
494-JAN2N6988

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 600mA 400mW PNP Quad - Small-Signal BJT SMT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/159.28

Min.: 100
Mult.: 1

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT SQ SMT

Jan2N6989U
Microchip / Microsemi
100: S/219.46
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
Jan2N6989U

N.º de artículo de Mouser
494-JAN2N6989U

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT SQ SMT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/219.46

Min.: 100
Mult.: 1

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 400mW NPN Quad - Small-Signal BJT SMT

JANS2N6990
Microchip / Microsemi
50: S/576.87
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
JANS2N6990

N.º de artículo de Mouser
494-JANS2N6990

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 800mA 400mW NPN Quad - Small-Signal BJT SMT

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/576.87

Min.: 50
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH Mosfet _ U3

JANSR2N7591U3
Microchip / Microsemi
1: S/3,198.82
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
JANSR2N7591U3

N.º de artículo de Mouser
494-JANSR2N7591U3

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RH Mosfet _ U3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/3,198.82

S/3,081.46

Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 600mA 1.5W PNP Quad - Small-Signal BJT THT

Jantxv2N6987
Microchip / Microsemi
100: S/187.38
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
Jantxv2N6987

N.º de artículo de Mouser
494-JANTXV2N6987

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 600mA 1.5W PNP Quad - Small-Signal BJT THT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/187.38

S/184.47

Ver

Min.: 100
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 600mA 400mW PNP Quad - Small-Signal BJT SMT

Jantxv2N6988
Microchip / Microsemi
100: S/195.29
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
Jantxv2N6988

N.º de artículo de Mouser
494-JANTXV2N6988

Microchip / Microsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 600mA 400mW PNP Quad - Small-Signal BJT SMT

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/195.29

Ver

Min.: 100
Mult.: 1

Tray

Microchip / Microsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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