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Tube Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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Resultados: 18

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Empaquetado = Tube

Fabricante

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Configuración

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente

Voltaje de corte puerta-fuente

Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Dp - Disipación de potencia

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Serie

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N.° de pieza

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/25MOSICJFETG3TO2

UJ3N065025K3S
onsemi
1: S/79.72
609En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3N065025K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N065025K3S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/25MOSICJFETG3TO2

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Hoja de datos

609En existencias

S/79.72

S/63.76

Min.: 1
Mult.: 1

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Single

650 V

20 V

85 A

25 mOhms

441 W

- 55 C

+ 175 C

UJ3N

AEC-Q101

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO

UJ3N120065K3S
onsemi
1: S/82.13
538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3N120065K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N120065K3S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO

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Hoja de datos

538En existencias

S/82.13

S/53.83

Min.: 1
Mult.: 1

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Single

1.2 kV

- 20 V to 3 V

5 uA

34 A

90 mOhms

254 W

- 55 C

+ 175 C

UJ3N

AEC-Q101

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET

LS5912-SOIC-8L-B-TB
Linear Integrated Systems
1: S/45.54
62En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LS5912-SOIC-8L-B-TB

N.º de artículo de Mouser
722-LS5912SOIC8LBTB

Linear Integrated Systems

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET

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Hoja de datos

62En existencias

S/45.54

S/37.06

S/30.87

S/27.48

S/25.69

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

Dual

- 25 V

- 5 V

40 mA

5 mA

500 mW

- 55 C

+ 150 C

LS5911

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET

LSK389D-SOIC-8L-TB
Linear Integrated Systems
1: S/37.25
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSK389D-SOIC-8L-TB

N.º de artículo de Mouser
722-LSK389DSOIC8LTB

Linear Integrated Systems

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET

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Hoja de datos

25En existencias

S/37.25

S/28.26

S/23.51

S/20.94

S/19.58

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

Dual

40 V

- 40 V

6 mV

30 mA

2 mA

400 mW

- 55 C

+ 150 C

LSK389

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S

UF3N120007K4S
onsemi
1: S/233.63
1,423En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
UF3N120007K4S

N.º de artículo de Mouser
772-UF3N120007K4S

Nuevo producto

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S

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Hoja de datos

1,423En existencias

S/233.63

S/198.48

Min.: 1
Mult.: 1

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Single

1.2 kV

- 30 V to 30 V

20 uA

120 A

7.1 mOhms

789 W

- 55 C

+ 175 C

UF3N

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2

UG4SC075009K4S
onsemi
1: S/83.65
575En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
UG4SC075009K4S

N.º de artículo de Mouser
772-UG4SC075009K4S

Nuevo producto

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2

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Hoja de datos

575En existencias

S/83.65

S/70.26

S/56.40

Min.: 1
Mult.: 1

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Single

750 V

- 30 V to 30 V

4 uA

106 A

8.4 mOhms

375 W

- 55 C

+ 175 C

UG4S

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075005K4S

UJ4N075005K4S
onsemi
1: S/171.62
437En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
UJ4N075005K4S

N.º de artículo de Mouser
772-UJ4N075005K4S

Nuevo producto

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075005K4S

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Hoja de datos

437En existencias

S/171.62

S/135.85

Min.: 1
Mult.: 1

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Single

750 V

- 30 V to 30 V

13 uA

120 A

4.8 mOhms

714 W

- 55 C

+ 175 C

UJ4N

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4

UG3SC120009K4S
onsemi
1: S/250.75
617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UG3SC120009K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UG3SC120009K4S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4

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Hoja de datos

617En existencias

S/250.75

S/216.35

Min.: 1
Mult.: 1

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Single

1.2 kV

- 25 V to 25 V

6 uA

120 A

7.6 mOhms

789 W

- 55 C

+ 175 C

UG3S

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/35MOSICJFETG3TO

UJ3N120035K3S
onsemi
1: S/113.35
604En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3N120035K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N120035K3S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/35MOSICJFETG3TO

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Hoja de datos

604En existencias

S/113.35

S/99.26

Min.: 1
Mult.: 1

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Single

1.2 kV

20 V

63 A

35 mOhms

429 W

- 55 C

+ 175 C

UJ3N

AEC-Q101

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4

UG4SC075006K4S
onsemi
1: S/156.01
325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UG4SC075006K4S

N.º de artículo de Mouser
772-UG4SC075006K4S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4

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Hoja de datos

325En existencias

S/156.01

Min.: 1
Mult.: 1

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Single

750 V

- 30 V to 30 V

6 uA

120 A

5.3 mOhms

714 W

- 55 C

+ 175 C

UG4S

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4

UG4SC075011K4S
onsemi
1: S/112.38
558En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UG4SC075011K4S

N.º de artículo de Mouser
772-UG4SC075011K4S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4

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Hoja de datos

558En existencias

S/112.38

S/84.39

Min.: 1
Mult.: 1

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Single

750 V

- 30 V to 30 V

3.5 uA

104 A

10 mOhms

357 W

- 55 C

+ 175 C

UG4S

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Noise

SMPJ177
InterFET
1: S/14.71
3,583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMPJ177

N.º de artículo de Mouser
106-SMPJ177

InterFET

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Noise

Hoja de datos

3,583En existencias

S/14.71

S/13.94

S/11.25

S/9.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

Single

- 15 V

30 V

2.25 V

- 20 mA

- 10 nA

300 Ohms

360 mW

- 55 C

+ 125 C

SMPJ177

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/80MOSICJFETG3TO2

UJ3N065080K3S
onsemi
1: S/43.99
529En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3N065080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N065080K3S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/80MOSICJFETG3TO2

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Hoja de datos

529En existencias

S/43.99

S/26.31

S/24.06

Min.: 1
Mult.: 1

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Single

650 V

20 V

32 A

80 mOhms

190 W

- 55 C

+ 175 C

UJ3N

AEC-Q101

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO

UJ3N120070K3S
onsemi
1: S/77.03
513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3N120070K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N120070K3S

onsemi

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO

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Hoja de datos

513En existencias

S/77.03

S/49.63

Min.: 1
Mult.: 1

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Single

1.2 kV

20 V

33.5 A

70 mOhms

254 W

- 55 C

+ 175 C

UJ3N

AEC-Q101

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET

LSK389A-SOIC-8L-TB
Linear Integrated Systems
1: S/45.15
1,798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSK389A-SOIC-8L-TB

N.º de artículo de Mouser
722-LSK389ASOIC8LTB

Linear Integrated Systems

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET

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Hoja de datos

1,798En existencias

S/45.15

S/25.26

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

Dual

40 V

- 40 V

6 mV

6.5 mA

2 mA

400 mW

- 55 C

+ 150 C

LSK389

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET

LS5911-SOIC-8L-A-TB
Linear Integrated Systems
1: S/48.66
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
LS5911-SOIC-8L-A-TB

N.º de artículo de Mouser
722-LS5911SOIC8LATB

Linear Integrated Systems

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET

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Hoja de datos

No en existencias

S/48.66

S/39.63

S/33.01

S/29.39

S/27.48

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

Dual

- 25 V

- 5 V

40 mA

5 mA

500 mW

- 55 C

+ 150 C

LS5911

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET

LS5912C-SOIC-8L-TB
Linear Integrated Systems
1: S/44.30
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
LS5912C-SOIC-8L-TB

N.º de artículo de Mouser
722-LS5912CSOIC8LTB

Linear Integrated Systems

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET

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Hoja de datos

No en existencias

S/44.30

S/34.64

S/28.84

S/25.69

S/24.06

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

Dual

- 25 V

- 5 V

40 mA

5 mA

500 mW

- 55 C

+ 150 C

LS5911

Tube

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET

LSK389B-SOIC-8L-TB
Linear Integrated Systems
1: S/52.94
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSK389B-SOIC-8L-TB

N.º de artículo de Mouser
722-LSK389BSOIC8LTB

Linear Integrated Systems

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET

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Hoja de datos

No en existencias

S/52.94

S/34.64

S/31.14

S/29.43

S/27.29

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

Dual

40 V

- 40 V

6 mV

12 mA

2 mA

400 mW

- 55 C

+ 150 C

LSK389

Tube

Tube Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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