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GaN FETs

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Resultados: 11

Filtros aplicados:

Marca = Valores múltiples

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Tecnología

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT070R70HTO
STMicroelectronics
1: S/38.77
374En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT070R70HTO

N.º de artículo de Mouser
511-SGT070R70HTO

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

374En existencias

Cinta cortada

S/38.77

S/21.37

S/19.97

S/16.31

Envase tipo carrete

S/16.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

TO-LL-11

700 V

26 A

70 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

231 W

Enhancement

GaN

GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT080R70ILB
STMicroelectronics
1: S/26.66
728En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT080R70ILB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT080R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

728En existencias

Cinta cortada

S/26.66

S/14.21

S/13.00

S/12.18

S/10.70

Envase tipo carrete

S/9.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

29 A

80 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

GaN

GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT105R70ILB
STMicroelectronics
1: S/23.16
768En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT105R70ILB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT105R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

768En existencias

Cinta cortada

S/23.16

S/12.18

S/11.09

S/10.08

S/9.69

Envase tipo carrete

S/8.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

21.7 A

105 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

158 W

Enhancement

GaN

GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT140R70ILB
STMicroelectronics
1: S/19.73
637En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT140R70ILB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT140R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

637En existencias

Cinta cortada

S/19.73

S/14.09

S/10.59

S/10.20

Ver

Envase tipo carrete

S/7.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

17 A

140 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

GaN

GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT190R70ILB
STMicroelectronics
1: S/15.69
790En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT190R70ILB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT190R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

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790En existencias

Cinta cortada

S/15.69

S/7.98

S/7.24

S/5.96

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

11.5 A

190 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

GaN

GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT240R70ILB
STMicroelectronics
1: S/14.87
693En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT240R70ILB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT240R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

693En existencias

Cinta cortada

S/14.87

S/7.51

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

10 A

240 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

GaN

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT350R70GTK
STMicroelectronics
1: S/10.90
552En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT350R70GTK

N.º de artículo de Mouser
511-SGT350R70GTK

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

552En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/5.37

S/4.83

S/3.88

Envase tipo carrete

S/3.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3

700 V

6 A

350 mOhms

- 1.4 V, + 7 V

2.5 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

GaN

GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT1D5R10MEA
STMicroelectronics
1: S/32.27
349En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT1D5R10MEA

N.º de artículo de Mouser
511-SGT1D5R10MEA

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

349En existencias

Cinta cortada

S/32.27

S/22.73

S/18.37

S/16.35

S/13.12

Envase tipo carrete

S/13.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

FCLGA-8

N-Channel

1 Channel

100 V

501 A

1.5 mOhms

- 4 V to + 6 V

2.1 V

15.9 nC

- 40 C

+ 150 C

735 W

Enhancement

GaN

GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT240R70ITK
STMicroelectronics
1: S/11.17
2,500Se espera el 20/11/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT240R70ITK

N.º de artículo de Mouser
511-SGT240R70ITK

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

2,500Se espera el 20/11/2026

Cinta cortada

S/11.17

S/5.53

S/4.98

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT3D5R10MEB
STMicroelectronics
1: S/14.48
500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT3D5R10MEB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT3D5R10MEB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

500En pedido

Cinta cortada

S/14.48

S/9.46

S/6.89

S/5.76

Envase tipo carrete

S/4.98

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

FCLGA-8

N-Channel

1 Channel

100 V

201 A

3.5 mOhms

- 4 V to + 6 V

2.1 V

6.3 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

GaN

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT65R65AL
STMicroelectronics
3,000: S/21.33
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SGT65R65AL

N.º de artículo de Mouser
511-SGT65R65AL

STMicroelectronics

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/21.33

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

65 mOhms

+ 6 V

1.8 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

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