Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
SPD50P03L G
Infineon Technologies
1:
S/12.34
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N.º de artículo de Mouser 726-SPD50P03LG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
2,439 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.34
10
S/8.02
100
S/5.92
500
S/4.94
1,000
S/4.28
2,500
S/4.28
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
30 V
50 A
5.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
126 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
+2 imágenes
BSO201SP H
Infineon Technologies
1:
S/9.07
3,645 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-BSO201SPH
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
3,645 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.07
10
S/5.80
100
S/4.01
500
S/3.39
1,000
S/2.83
2,500
S/2.70
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
20 V
14.9 A
10.3 mOhms
- 12 V, 12 V
900 mV
66 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
+2 imágenes
BSO301SP H
Infineon Technologies
1:
S/9.77
1,752 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-BSO301SPH
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
1,752 En existencias
1
S/9.77
10
S/6.31
100
S/4.32
500
S/3.45
1,000
S/3.32
2,500
S/3.19
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
30 V
14.9 A
8.8 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
102 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
+2 imágenes
BSO080P03S H
Infineon Technologies
1:
S/9.58
3,042 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-BSO080P03SH
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
3,042 En existencias
1
S/9.58
10
S/6.19
100
S/4.24
500
S/3.37
1,000
S/3.23
2,500
S/3.11
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
30 V
14.9 A
6.7 mOhms
- 25 V, 25 V
1.5 V
102 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -4.7A TSOP-6 OptiMOS P
BSL211SP
Infineon Technologies
3,000:
S/0.868
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
N.º de artículo de Mouser 726-BSL211SP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -4.7A TSOP-6 OptiMOS P
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Embalaje alternativo
3,000
S/0.868
6,000
S/0.802
9,000
S/0.771
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Min.: 3,000 Mult.: 3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
1 Channel
20 V
4.7 A
94 mOhms
- 12 V, 12 V
900 mV
8.3 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Perú