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IMZA75R008M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA75R008M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA75R008M1HXKS
Price: 126.62 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IMZA75R008M1HXKS

Fabricante N.º:

IMZA75R008M1HXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	S/126.62	S/126.62
	S/96.65	S/966.50

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	163 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	178 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	517 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	16 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Serie:	G2
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns
Alias de las piezas n.º:	IMZA75R008M1HXKSA1 SP005970686

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs excel in performance, reliability, and robustness. The Infineon Technologies CoolSiC 750V G1 features flexible gate driving for simplified, cost-effective system design. The MOSFETs allow for optimized efficiency and power density.