Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (R_DS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (C_iss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (C_OSS) lowers the output charge (Q_OSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.

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Resultados: 11

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm

TK2R4E08QM,S1X
Toshiba
1: S/23.51
894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2R4E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2R4E08QMS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm

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Hoja de datos

894En existencias

S/23.51

S/10.35

S/9.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.44 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

178 nC

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm

TK5R3E08QM,S1X
Toshiba
1: S/9.34
5,464En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5R3E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R3E08QMS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm

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5,464En existencias

S/9.34

S/4.05

S/3.48

S/3.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

55 nC

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm

TK5R1A08QM,S4X
Toshiba
1: S/9.46
193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5R1A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R1A08QMS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm

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Hoja de datos

193En existencias

S/9.46

S/4.63

S/4.59

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

70 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

54 nC

+ 175 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm

TK6R8A08QM,S4X
Toshiba
1: S/8.17
378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6R8A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK6R8A08QMS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm

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378En existencias

S/8.17

S/3.93

S/3.89

S/3.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

58 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

41 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm

TK7R0E08QM,S1X
Toshiba
1: S/7.55
435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7R0E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7R0E08QMS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm

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435En existencias

S/7.55

S/3.64

S/3.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

87 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm

TK5R1P08QM,RQ
Toshiba
1: S/8.02
4,935Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK5R1P08QM,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R1P08QMRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm

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4,935Se espera el 16/11/2026

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.45

S/3.27

Envase tipo carrete

S/3.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-2 (TO-252-2)

N-Channel

1 Channel

80 V

84 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm

TK6R9P08QM,RQ
Toshiba
1: S/8.68
9,979Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK6R9P08QM,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6R9P08QMRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm

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Hoja de datos

9,979Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

S/8.68

S/4.20

S/3.74

S/2.97

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-2 (TO-252-2)

N-Channel

1 Channel

80 V

62 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

TPH3R10AQM,LQ
Toshiba
1: S/11.41
10,000Se espera el 14/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R10AQM,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R10AQMLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

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Hoja de datos

10,000Se espera el 14/12/2026

Cinta cortada

S/11.41

S/5.64

S/5.02

S/4.09

Ver

Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

TK3R2A08QM,S4X
Toshiba
1: S/12.96
50Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK3R2A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R2A08QMS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

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Hoja de datos

50Se espera el 16/11/2026

S/12.96

S/6.46

S/6.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

92 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

102 nC

+ 175 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm

TK3R3E08QM,S1X
Toshiba
1: S/12.77
900Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
TK3R3E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R3E08QMS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm

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900Se espera el 28/01/2027

S/12.77

S/6.38

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

110 nC

+ 175 C

230 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm

TK2R4A08QM,S4X
Toshiba
1: S/18.29
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK2R4A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2R4A08QMS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/18.29

S/9.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

2.44 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

179 nC

+ 175 C

47 W

Enhancement

Tube

80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

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