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Transistores

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N.° de pieza

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

STGWA40H120F2
STMicroelectronics
1: S/30.63
535En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA40H120F2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA40H120F2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

Hoja de datos

535En existencias

S/30.63

S/17.71

S/14.83

S/12.77

S/12.07

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IGBTs 600V 65A N-Channel

STGY50NC60WD
STMicroelectronics
1: S/67.89
965En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGY50NC60WD

N.º de artículo de Mouser
511-STGY50NC60WD

STMicroelectronics

IGBTs 600V 65A N-Channel

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Hoja de datos

965En existencias

S/67.89

S/39.31

S/34.25

S/34.22

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Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

Max247-3

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in

STGYA120M65DF2AG
STMicroelectronics
1: S/36.39
505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGYA120M65DF2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STGYA120M65DF2AG

STMicroelectronics

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in

Hoja de datos

505En existencias

S/36.39

S/22.54

S/15.61

S/15.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

Max247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
1: S/22.58
925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH275N8F7-6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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925En existencias

Cinta cortada

S/22.58

S/11.83

S/10.78

S/9.73

Envase tipo carrete

S/9.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

STH310N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/27.13
1,245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

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1,245En existencias

Cinta cortada

S/27.13

S/14.48

S/13.23

S/12.46

Envase tipo carrete

S/11.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

STH6N95K5-2
STMicroelectronics
1: S/14.25
1,502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH6N95K5-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH6N95K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

Hoja de datos

1,502En existencias

Cinta cortada

S/14.25

S/9.30

S/6.50

S/5.64

Envase tipo carrete

S/5.25

S/4.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

STL110N10F7
STMicroelectronics
1: S/11.95
4,684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL110N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL110N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

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4,684En existencias

Cinta cortada

S/11.95

S/7.75

S/5.33

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET

STL190N4F7AG
STMicroelectronics
1: S/10.98
2,099En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL190N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL190N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET

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Cinta cortada

S/10.98

S/6.42

S/4.83

S/4.16

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.27

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

STL2N80K5
STMicroelectronics
1: S/5.25
5,134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

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5,134En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.14

S/2.21

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

STL47N60M6
STMicroelectronics
1: S/26.27
1,763En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL47N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL47N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

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Cinta cortada

S/26.27

S/17.63

S/12.77

S/11.91

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Envase tipo carrete

S/9.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII

STL8DN6LF3
STMicroelectronics
1: S/9.85
3,309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL8DN6LF3

N.º de artículo de Mouser
511-STL8DN6LF3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII

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3,309En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/5.80

S/4.44

S/3.64

Envase tipo carrete

S/2.95

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected

STP10N95K5
STMicroelectronics
1: S/16.82
1,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP10N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected

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1,570En existencias

S/16.82

S/8.10

S/7.63

S/6.54

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

STP12NK80Z
STMicroelectronics
1: S/19.62
1,132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

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1,132En existencias

S/19.62

S/10.16

S/9.23

S/7.63

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

STP140N6F7
STMicroelectronics
1: S/11.29
6,418En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP140N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP140N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

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6,418En existencias

S/11.29

S/5.57

S/4.98

S/4.05

S/3.59

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

STP150N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/18.33
1,032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP150N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STP150N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

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1,032En existencias

S/18.33

S/10.59

S/8.29

S/7.16

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

STP18N55M5
STMicroelectronics
1: S/15.34
2,043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

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2,043En existencias

S/15.34

S/7.98

S/6.97

S/5.92

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

STP28NM60ND
STMicroelectronics
1: S/27.21
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP28NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP28NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

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990En existencias

S/27.21

S/15.10

S/13.00

S/11.68

S/10.43

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

STP2NK90Z
STMicroelectronics
1: S/11.05
1,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP2NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP2NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

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1,691En existencias

S/11.05

S/5.53

S/4.90

S/4.09

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp

STP80NF03L-04
STMicroelectronics
1: S/19.77
3,122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF03L-04

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF03L-04

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp

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Hoja de datos

3,122En existencias

S/19.77

S/12.96

S/9.69

S/7.86

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

STP80NF10
STMicroelectronics
1: S/15.69
1,695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

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1,695En existencias

S/15.69

S/7.98

S/7.20

S/5.92

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A

STP9NK50ZFP
STMicroelectronics
1: S/10.86
1,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9NK50ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK50ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A

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1,513En existencias

S/10.86

S/5.76

S/4.98

S/4.24

S/3.76

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

STU2N105K5
STMicroelectronics
1: S/10.43
5,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU2N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU2N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

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Hoja de datos

5,461En existencias

S/10.43

S/4.83

S/4.36

S/3.66

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STU7N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.10
2,924En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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2,924En existencias

S/8.10

S/3.66

S/2.79

S/2.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW40N95DK5
STMicroelectronics
1: S/63.60
672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N95DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N95DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

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672En existencias

S/63.60

S/39.04

S/31.14

S/31.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

STW48NM60N
STMicroelectronics
1: S/38.50
914En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW48NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STW48NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

Hoja de datos

914En existencias

S/38.50

S/22.65

S/19.15

S/18.06

S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
CDIPB-26L
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3