Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
STL24N60M2
STMicroelectronics
1:
S/15.84
6,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
6,000 En existencias
1
S/15.84
10
S/8.06
100
S/7.32
500
S/6.07
3,000
S/5.68
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
STL7N6LF3
STMicroelectronics
1:
S/7.55
4,232 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL7N6LF3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
4,232 En existencias
1
S/7.55
10
S/4.36
100
S/3.10
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S/2.55
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S/1.87
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S/2.38
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S/1.73
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
STP10NK60Z
STMicroelectronics
1:
S/15.76
3,042 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP10NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
3,042 En existencias
1
S/15.76
10
S/9.58
100
S/8.52
500
S/7.16
1,000
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S/6.46
2,000
S/6.34
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S/6.23
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FP
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1:
S/28.80
1,234 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
1,234 En existencias
1
S/28.80
10
S/17.24
100
S/13.43
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S/13.39
2,000
S/13.31
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
STP28NM50N
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1:
S/28.57
697 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP28NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
697 En existencias
1
S/28.57
10
S/15.30
100
S/14.01
500
S/11.76
1,000
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S/11.02
2,000
S/10.86
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
STP8NK80Z
STMicroelectronics
1:
S/18.06
1,566 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP8NK80Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
1,566 En existencias
1
S/18.06
10
S/8.99
100
S/7.67
500
S/6.62
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
STU10NM60N
STMicroelectronics
1:
S/16.31
2,833 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU10NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
2,833 En existencias
1
S/16.31
10
S/10.70
100
S/7.98
500
S/6.70
1,000
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S/6.19
3,000
S/5.76
24,000
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
+1 imagen
STW28NM50N
STMicroelectronics
1:
S/29.27
634 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW28NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
634 En existencias
1
S/29.27
10
S/18.14
100
S/15.88
600
S/15.84
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
+1 imagen
STW40N90K5
STMicroelectronics
1:
S/68.35
400 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW40N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
400 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
+1 imagen
STW42N65M5
STMicroelectronics
1:
S/43.71
505 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW42N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
505 En existencias
1
S/43.71
10
S/26.27
100
S/22.03
600
S/19.70
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
+1 imagen
STW6N90K5
STMicroelectronics
1:
S/14.25
1,587 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW6N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1,587 En existencias
1
S/14.25
10
S/7.16
100
S/6.50
600
S/5.14
1,200
Ver
1,200
S/4.83
3,000
S/4.75
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
+1 imagen
STW7N90K5
STMicroelectronics
1:
S/15.34
1,335 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW7N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1,335 En existencias
1
S/15.34
10
S/8.41
100
S/6.85
600
S/5.99
1,200
Ver
1,200
S/5.37
3,000
S/4.94
5,400
S/4.71
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
+1 imagen
STW8N90K5
STMicroelectronics
1:
S/18.26
1,800 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW8N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1,800 En existencias
1
S/18.26
10
S/9.15
100
S/8.33
600
S/7.01
1,200
S/6.89
Comprar
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
STD80N450K6
STMicroelectronics
1:
S/17.20
800 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N450K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
800 En existencias
1
S/17.20
10
S/11.33
100
S/7.98
500
S/6.77
2,500
S/5.57
5,000
Ver
1,000
S/6.73
5,000
S/5.49
10,000
Presupuesto
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Carrete :2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
STGWA25IH135DF2
STMicroelectronics
1:
S/13.86
545 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGWA25IH135DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
545 En existencias
1
S/13.86
10
S/9.42
120
S/8.14
510
S/7.75
1,020
Ver
1,020
S/7.67
2,520
S/7.43
5,010
S/7.28
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
BUL7216
STMicroelectronics
1:
S/8.80
3,503 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BUL7216
N.º de artículo de Mouser 511-BUL7216
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
3,503 En existencias
1
S/8.80
10
S/4.36
100
S/3.75
500
S/3.04
1,000
Ver
1,000
S/2.26
2,000
S/2.25
10,000
S/2.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB33N60M2
STMicroelectronics
1:
S/19.93
1,387 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1,387 En existencias
1
S/19.93
10
S/12.26
100
S/10.00
500
S/8.56
1,000
S/7.79
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD16N60M2
STMicroelectronics
1:
S/8.72
5,713 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD16N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
5,713 En existencias
1
S/8.72
10
S/4.20
100
S/3.34
500
S/2.83
1,000
S/2.70
2,500
S/2.57
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
STD3NK50ZT4
STMicroelectronics
1:
S/7.63
6,233 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD3NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
6,233 En existencias
1
S/7.63
10
S/3.85
100
S/3.39
500
S/2.73
1,000
S/2.49
2,500
S/2.21
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
STD4N90K5
STMicroelectronics
1:
S/10.04
3,505 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD4N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
3,505 En existencias
1
S/10.04
10
S/6.46
100
S/4.44
500
S/3.52
2,500
S/2.81
5,000
Ver
1,000
S/3.24
5,000
S/2.65
10,000
S/2.64
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII
STD80N10F7
STMicroelectronics
1:
S/8.33
2,764 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII
2,764 En existencias
1
S/8.33
10
S/4.05
100
S/3.59
500
S/2.85
1,000
S/2.64
2,500
S/2.37
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect
STF10N95K5
STMicroelectronics
1:
S/15.41
1,041 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF10N95K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect
1,041 En existencias
1
S/15.41
10
S/8.06
100
S/7.24
500
S/5.99
1,000
S/5.72
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
STF11NM80
STMicroelectronics
1:
S/30.32
861 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF11NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
861 En existencias
1
S/30.32
10
S/16.35
100
S/14.99
500
S/13.62
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet
STF15NM65N
STMicroelectronics
1:
S/22.97
938 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF15NM65N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet
938 En existencias
1
S/22.97
10
S/12.07
100
S/11.25
500
S/10.00
1,000
S/8.91
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF23N80K5
STMicroelectronics
1:
S/25.38
780 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF23N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
780 En existencias
1
S/25.38
10
S/13.43
100
S/12.30
500
S/10.74
1,000
S/10.55
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Perú
