IXYS PolarHT Transistores

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Resultados: 40
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds 255En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 300V 0.033 Rds 447En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds 390En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds 4,629En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds 553En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 250V 0.084 Rds 287En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250V 0.024 Rds 1,202En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 100V 0.0075 Rds 683En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds 363En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds 54En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 150V 0.04 Rds 302En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds 55En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds 292En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds 301En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 250V 0.027 Rds 224En existencias
30Se espera el 17/06/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds 12En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds
1,850Se espera el 26/08/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds
300Se espera el 23/12/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
840Se espera el 14/09/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Amps 150V 0.013 Rds Plazo de entrega 39 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HT MOSFET 150V 120A Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA16N50P TRL Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA36N30P TRL Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA42N25P TRL Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA50N20P TRL Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel