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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 109

Filtros aplicados:

Fabricante = Advanced Linear Devices

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V

ALD910027SALI
Advanced Linear Devices
1: S/31.18
1,770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910027SALI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910027SALI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V

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Hoja de datos

1,770En existencias

S/31.18

S/20.98

S/20.16

S/17.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.72 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900ASAL
Advanced Linear Devices
1: S/37.17
36En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900ASAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900ASAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

36En existencias

S/37.17

S/26.24

S/21.88

S/19.46

S/18.22

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

0 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212902PAL
Advanced Linear Devices
1: S/35.97
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212902PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212902PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

34En existencias

S/35.97

S/25.38

S/21.18

S/18.84

S/17.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

ALD810017SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/32.35
34En existencias
200Se espera el 1/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
ALD810017SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810017SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

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Hoja de datos

34En existencias

200Se espera el 1/05/2026

S/32.35

S/25.89

S/20.90

S/18.57

S/16.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

1.72 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808PCL
Advanced Linear Devices
1: S/35.38
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

18En existencias

S/35.38

S/24.95

S/20.79

S/18.53

S/17.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700SCL
Advanced Linear Devices
1: S/36.24
43En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

43En existencias

S/36.24

S/24.06

S/20.01

S/19.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

ALD910025SALI
Advanced Linear Devices
1: S/28.34
252En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910025SALI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910025SALI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

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Hoja de datos

252En existencias

S/28.34

S/22.69

S/18.37

S/16.31

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.52 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V

ALD910027SAL
Advanced Linear Devices
1: S/31.45
5En existencias
50Se espera el 27/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
ALD910027SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910027SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V

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5En existencias

50Se espera el 27/04/2026

S/31.45

S/15.10

S/15.06

S/15.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.72 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702ASCL
Advanced Linear Devices
1: S/49.71
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

50En existencias

S/49.71

S/38.89

S/32.39

S/28.84

S/26.98

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V

ALD810026SCL
Advanced Linear Devices
1: S/30.48
16En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810026SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810026SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V

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Hoja de datos

16En existencias

S/30.48

S/24.41

S/19.73

S/17.56

S/15.53

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.62 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

ALD910022SALI
Advanced Linear Devices
1: S/28.34
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910022SALI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910022SALI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

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Hoja de datos

239En existencias

S/28.34

S/22.69

S/18.37

S/16.31

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.22 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch

ALD110900PAL
Advanced Linear Devices
1: S/31.88
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD110900PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD110900PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch

Hoja de datos

35En existencias

S/31.88

S/25.50

S/20.59

S/18.29

S/16.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

12 mA

500 Ohms, 500 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900SAL
Advanced Linear Devices
1: S/29.70
40En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

40En existencias

S/29.70

S/23.78

S/19.23

S/17.09

S/15.14

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY

ALD810030SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/38.89
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810030SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810030SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

S/38.89

S/27.44

Envase tipo carrete

S/27.44

S/22.85

S/20.36

S/19.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

SMD/SMT

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

3 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Depletion

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

ALD810025SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/32.31
1,184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810025SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810025SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

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Hoja de datos

1,184En existencias

S/32.31

S/25.85

S/20.90

S/18.57

S/16.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.52 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

ALD1105PBL
Advanced Linear Devices
1: S/31.37
177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1105PBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1105PBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

Hoja de datos

177En existencias

S/31.37

S/25.11

S/20.32

S/18.06

S/16.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-14

N-Channel, P-Channel

4 Channel

12 V

2 mA, 4.8 mA

350 Ohms, 1.2 kOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Channel Array

ALD1106PBL
Advanced Linear Devices
1: S/30.87
125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1106PBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1106PBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Channel Array

Hoja de datos

125En existencias

S/30.87

S/18.41

S/16.11

S/14.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-14

N-Channel

4 Channel

12 V

4.8 mA

350 Ohms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel Array

ALD1107PBL
Advanced Linear Devices
1: S/31.37
93En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1107PBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1107PBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel Array

Hoja de datos

93En existencias

S/31.37

S/25.11

S/20.32

S/18.06

S/16.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-14

P-Channel

4 Channel

12 V

2 mA

1.2 kOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch

ALD110900APAL
Advanced Linear Devices
1: S/43.56
53En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD110900APAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD110900APAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch

Hoja de datos

53En existencias

S/43.56

S/33.01

S/27.48

S/24.48

S/22.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

12 mA

500 Ohms, 500 Ohms

- 12 V, 12 V

0 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900PAL
Advanced Linear Devices
1: S/33.20
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

34En existencias

S/33.20

S/18.26

S/16.74

S/16.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V

ALD810025SCL
Advanced Linear Devices
1: S/32.00
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810025SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810025SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V

Obtenga más información

Hoja de datos

47En existencias

S/32.00

S/21.29

S/17.20

S/15.30

S/13.55

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.52 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad EPAD(R) N-Ch

ALD110800APCL
Advanced Linear Devices
1: S/46.98
15En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD110800APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD110800APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad EPAD(R) N-Ch

Hoja de datos

15En existencias

S/46.98

S/36.78

S/30.60

S/27.29

S/25.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10 V

12 mA

500 Ohms

- 12 V, 12 V

0 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900APAL
Advanced Linear Devices
1: S/42.00
16En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900APAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900APAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

16En existencias

S/42.00

S/30.56

S/25.46

S/22.69

S/21.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

0 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

ALD810022SCL
Advanced Linear Devices
1: S/32.00
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810022SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810022SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

Obtenga más información

Hoja de datos

23En existencias

S/32.00

S/21.29

S/17.20

S/15.30

S/13.55

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.22 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

ALD210800ASCL
Advanced Linear Devices
1: S/43.95
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210800ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210800ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Hoja de datos

22En existencias

S/43.95

S/31.96

S/26.62

S/23.74

S/22.19

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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180 mV
220 mV
400 mV
420 mV
780 mV
820 mV
1.4 V
1.62 V
1.72 V
1.82 V
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2.02 V
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