PolarHT Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET IXTT140N10P TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400
Carrete: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 175 C 600 W Reel
IXYS Módulos MOSFET IXTT96N20P TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400
Carrete: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 600 W Reel