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FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

Name: Infineon FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS17MR12W2M1HB11
Price: 434.87 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-FS17MR12W2M1HB11

Fabricante N.º:

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos MOSFET EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Press Fit
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.15 V
Dp - Disipación de potencia :	20 mW
Serie:	EasyPACK 2B
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Hex
País de ensamblaje:	DE
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	12 ns
Altura:	1.4 mm
If - Corriente directa:	16 A
Longitud:	56.7 mm
Producto:	MOSFET Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	29 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	15
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	CoolSiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	39 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	32 ns
Vf - Tensión directa:	4.2 V
Ancho:	48 mm
Alias de las piezas n.º:	FS17MR12W2M1H_B11_A SP005958141

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ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.

1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.