IXYS Trench Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET TO220 200V 48A N-CH TRENCH
Hoja de datos
167En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 200 V 48 A 50 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 250 W Tube
IXYS Módulos MOSFET TO220 250V 76A N-CH TRENCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 250 V 76 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 150 C 460 W Tube
IXYS Módulos MOSFET IXTY44N10T TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 100 V 44 A 30 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 130 W Reel