QPD1009 GaN FETs

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Hoja de datos
244En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FETs DC-4 GHz, 15W, 50V GaN RF Tr
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500
SMD/SMT SMD-16 1 Channel 145 V 1.6 A - 40 C + 85 C 16 W