PDIP-14 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair
Hoja de datos
41En existencias
S/ 69.40
S/ 52.86
S/ 44.06
S/ 39.28
S/ 36.71
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 16 mA, 40 mA 50 Ohms, 180 Ohms 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair
Hoja de datos
48En existencias
S/ 47.68
S/ 34.49
S/ 28.73
S/ 25.61
S/ 23.94
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA, 4.8 mA 350 Ohms, 1.2 kOhms 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Channel Array
Hoja de datos
59En existencias
150Se espera el 10/11/2026
S/ 47.68
S/ 34.49
S/ 28.73
S/ 25.61
S/ 23.94
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole PDIP-14 N-Channel 4 Channel 12 V 4.8 mA 350 Ohms 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel Array
Hoja de datos
56En existencias
S/ 47.68
S/ 34.49
S/ 28.73
S/ 25.61
S/ 23.94
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole PDIP-14 P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA 1.2 kOhms 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube