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PDFN-8 Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta
Rectificadores y diodos Schottky 60V 20A DST2060DJF Littelfuse 1: S/11.17 18,323En existencias	N.º de artículo del Fabricante DST2060DJF N.º de artículo de Mouser 576-DST2060DJF	Littelfuse	Rectificadores y diodos Schottky 60V 20A Obtenga más información sobre Littelfuse dst rectifiers	Hoja de datos	18,323En existencias	Cinta cortada S/11.17 S/6.38 S/4.94 S/4.05 S/3.73 Envase tipo carrete S/3.49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Schottky Diodes & Rectifiers	Si	SMD/SMT	PDFN-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) iS20M028S1C-7SR iDEAL Semiconductor 1: S/14.21 294En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M028S1C-7SR N.º de artículo de Mouser 25-IS20M028S1C-7SR Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is20m028s1c mosfets	Hoja de datos	294En existencias	Cinta cortada S/14.21 S/9.26 Envase tipo carrete S/6.46 S/5.41 S/5.02 S/4.71	Min.: 1 Mult.: 1 : 100	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PDFN-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm IS15M7R1S1C iDEAL Semiconductor 1: S/24.76 2,708En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IS15M7R1S1C N.º de artículo de Mouser 25-IS15M7R1S1C Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is15m7r1s1c mosfets	Hoja de datos	2,708En existencias	Cinta cortada S/24.76 S/14.48 S/11.91 S/10.94 Envase tipo carrete S/8.45 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PDFN-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm IS15M7R1S1C-7SR iDEAL Semiconductor 1: S/26.35 316En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IS15M7R1S1C-7SR N.º de artículo de Mouser 25-IS15M7R1S1C-7SR Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is15m7r1s1c mosfets	Hoja de datos	316En existencias	S/26.35 S/17.28 S/12.69 S/11.29 S/9.96	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PDFN-8
GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor TSG65N195CE RVG Taiwan Semiconductor 1: S/42.16 2,959En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante TSG65N195CE RVG N.º de artículo de Mouser 821-TSG65N195CERVG NRND	Taiwan Semiconductor	GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor	Hoja de datos	2,959En existencias	Cinta cortada S/42.16 S/23.43 S/22.30 S/20.44 Envase tipo carrete S/18.18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	GaN FETs	Si	SMD/SMT	PDFN-8
Rectificadores y diodos Schottky 60V 30A DST3060DJF Littelfuse 3,000: S/5.53 Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas	N.º de artículo del Fabricante DST3060DJF N.º de artículo de Mouser 576-DST3060DJF	Littelfuse	Rectificadores y diodos Schottky 60V 30A Obtenga más información sobre Littelfuse dst rectifiers	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas	Envase tipo carrete S/5.53	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000	Schottky Diodes & Rectifiers	Si	SMD/SMT	PDFN-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 150V 100A 7.4mOhms XP15NA7R4CDT YAGEO XSemi 3,000: S/3.93 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP15NA7R4CDT N.º de artículo de Mouser 603-XP15NA7R4CDT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 150V 100A 7.4mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/3.93 S/3.57	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PDFN-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 16A 5mOhms XP3832CDT YAGEO XSemi 3,000: S/2.07 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP3832CDT N.º de artículo de Mouser 603-XP3832CDT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 16A 5mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/2.07 S/2.03 S/1.92	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PDFN-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 19.5A 5.2mOhms XP3838CDT33 YAGEO XSemi 3,000: S/1.40 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP3838CDT33 N.º de artículo de Mouser 603-XP3838CDT33	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 19.5A 5.2mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/1.40 S/1.24 S/1.20 S/1.05	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PDFN-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms XP3840CDT33 YAGEO XSemi 3,000: S/1.31 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP3840CDT33 N.º de artículo de Mouser 603-XP3840CDT33	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/1.31 S/1.28 S/1.27 S/1.20	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PDFN-8
GaN FETs GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88 NV6026C Navitas Semiconductor 1: S/26.27 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NV6026C N.º de artículo de Mouser 740-NV6026C Nuevo producto	Navitas Semiconductor	GaN FETs GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas	Cinta cortada S/26.27 S/13.97 S/12.77 S/11.91 S/10.94 Envase tipo carrete S/10.32	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	GaN FETs		SMD/SMT	PDFN-8
GaN FETs GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88 NV6028 Navitas Semiconductor 3,000: S/21.68 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NV6028 N.º de artículo de Mouser 740-NV6028 Nuevo producto	Navitas Semiconductor	GaN FETs GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas	Envase tipo carrete S/21.68	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000	GaN FETs		SMD/SMT	PDFN-8
GaN FETs GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88 NV6029 Navitas Semiconductor 3,000: S/32.35 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NV6029 N.º de artículo de Mouser 740-NV6029 Nuevo producto	Navitas Semiconductor	GaN FETs GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas	Envase tipo carrete S/32.35	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000	GaN FETs		SMD/SMT	PDFN-8
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS GS-065-011-6-LR-MR Infineon Technologies 1: S/19.62 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante GS-065-011-6-LR-MR N.º de artículo de Mouser 499-GS065011-6-LR-MR Fin de vida útil	Infineon Technologies	GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas	Cinta cortada S/19.62 S/18.18 S/11.25 Envase tipo carrete S/11.25 S/11.05 Ver S/10.90 S/10.78 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 250	GaN FETs	GaN-on-Si	SMD/SMT	PDFN-8
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS GS-065-014-6-LR-MR Infineon Technologies 1: S/24.13 Plazo de entrega 18 Semanas Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante GS-065-014-6-LR-MR N.º de artículo de Mouser 499-GS065014-6-LR-MR Fin de vida útil	Infineon Technologies	GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors	Hoja de datos	Plazo de entrega 18 Semanas	Cinta cortada S/24.13 S/16.08 S/14.91 Envase tipo carrete S/14.91 S/14.71 Ver S/14.52 S/14.40 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 250	GaN FETs	GaN-on-Si	SMD/SMT	PDFN-8
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS GS-065-018-6-LR-MR Infineon Technologies 1: S/29.51 Plazo de entrega 18 Semanas Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante GS-065-018-6-LR-MR N.º de artículo de Mouser 499-GS065018-6-LR-MR Fin de vida útil	Infineon Technologies	GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors	Hoja de datos	Plazo de entrega 18 Semanas	Cinta cortada S/29.51 S/15.84 S/12.69 Envase tipo carrete S/12.69 S/12.18	Min.: 1 Mult.: 1 : 250	GaN FETs	GaN-on-Si	SMD/SMT	PDFN-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) iS20M028S1C iDEAL Semiconductor 5,000: S/4.44 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M028S1C N.º de artículo de Mouser 25-IS20M028S1C Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is20m028s1c mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Envase tipo carrete S/4.44	Min.: 5,000 Mult.: 5,000 : 5,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PDFN-8
GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor TSG65N068CE RVG Taiwan Semiconductor 9,000: S/55.27 Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante TSG65N068CE RVG N.º de artículo de Mouser 821-TSG65N068CERVG NRND	Taiwan Semiconductor	GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas	Cinta cortada S/55.27	Min.: 9,000 Mult.: 3,000 : 3,000	GaN FETs	Si	SMD/SMT	PDFN-8
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor 9,000: S/31.22 Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante TSG65N110CE RVG N.º de artículo de Mouser 821-TSG65N110CERVG NRND	Taiwan Semiconductor	GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas	Cinta cortada S/31.22	Min.: 9,000 Mult.: 3,000 : 3,000	GaN FETs	Si	SMD/SMT	PDFN-8