Through Hole Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
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SiC MOSFETS SiC Through Hole PG-TO247-4-U07
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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348En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
APC-E MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
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270En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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419En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247AC-3
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
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268En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
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100En existencias
450Se espera el 2/06/2026
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Carrete: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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343En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247AC-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
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293En existencias
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Máx.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

Diodes Incorporated Rectificadores FRED Planar Rectifier TO247 TUBE 30PS
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207En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-247-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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1,984En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
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290En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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968En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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349En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247AD-4L
APC-E MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Vishay Semiconductors SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248
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1,437En existencias
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SCRs Through Hole TO-247-3
Central Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
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27En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
IXYS SCR 1200V 120A High Efficiency Single Thyristor
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354En existencias
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SCRs Through Hole TO-247-3L
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
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1,011En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Panjit Rectificadores en puente Glass Passivated Low Profile Bridge Rectifier 600V, 10A
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1,653En existencias
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Bridge Rectifiers Si Through Hole KBJB-4
Panjit Rectificadores en puente Glass Passivated Low Profile Bridge Rectifier 800V, 15A
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1,722En existencias
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Bridge Rectifiers Si Through Hole KBJB-4

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L
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2,250En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Panjit Rectificadores en puente Glass Passivated Low Profile Bridge Rectifier 600V, 15A
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1,733En existencias
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Bridge Rectifiers Si Through Hole KBJB-4