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NCV8413DTRKG

Name: onsemi NCV8413DTRKG
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8413DTRKG
Price: 8.29 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NCV8413DTRKG

Fabricante N.º:

NCV8413DTRKG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Protected Low-Side Smart Discrete FET

Hoja de datos:

NCV8413DTRKG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/8.29	S/8.29
	S/5.61	S/56.10
	S/4.71	S/471.00
	S/4.55	S/2,275.00
	S/4.40	S/4,400.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/4.40	S/11,000.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	42 V
Id - Corriente de drenaje continua:	17 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	68 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 14 V, 14 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.72 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NCV8413
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	44 us, 60 us
Tiempo típico de demora de encendido:	15 us, 25 us
Peso de la unidad:	330 mg

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Application Notes

Low-Side Self-Protected MOSFET

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Low-Side Smart Discrete FETs

onsemi Low-Side Smart Discrete FETs can replace electromechanical relays and discrete circuits. These three-terminal-protected devices are suitable for harsh automotive environments. Protection features include Delta Thermal Shutdown, overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated Drain to Gate clamping for over-voltage protection. onsemi Low-Side Smart Discrete FETs can switch various resistive, inductive, and capacitive loads.