Transistores – Mouser Perú

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N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. Their low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. These ROHM SiC Power MOSFETs exhibit minimal ON-resistance increases and provides greater package miniaturization. This provides more energy savings than standard Si devices, in which the ON-resistance can more than double with increased temperature.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

RX3G18BBGC16
ROHM Semiconductor
1: S/31.68
1,300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RX3G18BBGC16

N.º de artículo de Mouser
755-RX3G18BBGC16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

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Hoja de datos

1,300En existencias

S/31.68

S/23.04

S/19.23

S/17.13

S/16.00

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

RX3L18BBGC16
ROHM Semiconductor
1: S/31.88
1,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RX3L18BBGC16

N.º de artículo de Mouser
755-RX3L18BBGC16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

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1,993En existencias

S/31.88

S/23.20

S/19.35

S/17.24

S/16.11

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)

RX3R10BBHC16
ROHM Semiconductor
1: S/29.66
1,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RX3R10BBHC16

N.º de artículo de Mouser
755-RX3R10BBHC16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)

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1,955En existencias

S/29.66

S/24.25

S/20.20

S/17.48

S/17.17

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252

RD3L050SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/5.49
2,436En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3L050SNFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L050SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252

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Comentarios de Producto

2,436En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.60

S/3.00

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3P050SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/6.73
3,293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3P050SNFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3P050SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252

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3,293En existencias

Cinta cortada

S/6.73

S/4.75

S/3.27

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

MOSFETs de SiC 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N

SCT2080KEHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/104.32
117En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT2080KEHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT2080KEHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N

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117En existencias

S/104.32

S/95.79

S/95.76

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N

SCT3022KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/202.33
66En existencias
450Se espera el 12/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT3022KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N

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66En existencias

450Se espera el 12/08/2026

S/202.33

S/160.10

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/110.39
102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

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102En existencias

S/110.39

S/87.46

S/77.89

S/77.85

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

SCT3040KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/147.41
322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3040KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

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322En existencias

S/147.41

S/116.19

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS

SCT3060ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/59.75
839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3060ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3060ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

839En existencias

S/59.75

S/32.19

S/31.65

S/31.30

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS

SCT3160KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/25.34
24En existencias
450Se espera el 11/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT3160KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3160KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

24En existencias

450Se espera el 11/08/2026

S/25.34

S/21.95

S/21.25

S/21.21

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3L080SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/7.05
289En existencias
2,500Se espera el 12/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
RD3L080SNFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L080SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252

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Comentarios de Producto

289En existencias

2,500Se espera el 12/05/2026

Cinta cortada

S/7.05

S/4.90

S/3.44

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 6.0A(Id), (4.5V Drive)

RF4P060BGTCR
ROHM Semiconductor
1: S/4.20
13En existencias
6,000Se espera el 3/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
RF4P060BGTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RF4P060BGTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 6.0A(Id), (4.5V Drive)

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Hoja de datos

13En existencias

6,000Se espera el 3/06/2026

Cinta cortada

S/4.20

S/2.80

S/1.83

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.35

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

DFN-2020-8S

N-Channel

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/206.34
5En existencias
450Se espera el 12/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT3022ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

5En existencias

450Se espera el 12/03/2026

S/206.34

S/138.07

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS

SCT3120ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/33.32
92En existencias
450Se espera el 20/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT3120ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3120ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

92En existencias

450Se espera el 20/05/2026

S/33.32

S/19.46

S/18.53

S/17.83

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

SCT3080KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/77.03
1,197En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

1,197En pedido

S/77.03

S/51.85

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3G08BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/14.01
2,500Se espera el 23/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3G08BBLHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3G08BBLHRBTL

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

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Hoja de datos

2,500Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/14.01

S/9.15

S/6.38

S/5.57

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive